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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A222GXBBT31G

GA1206A222GXBBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 17:39:38 查看 閱讀�21

GA1206A222GXBBT31G 是一款高性能的功� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開(kāi)�(guān)電源等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠在高頻工作條件下保持穩(wěn)定的性能�
  這款芯片的主要功能是通過(guò)控制柵極電壓�(lái)�(shí)�(xiàn)�(duì)電流的快速開(kāi)�(guān),從而在各種電力電子�(shè)備中提供高效的功率轉(zhuǎn)換和�(diào)節(jié)�

參數(shù)

�(lèi)型:功率 MOSFET
  封裝:TO-252 (DPAK)
  漏源極擊穿電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�45A
  �(dǎo)通電阻:2.2mΩ
  柵極電荷�48nC
  最大工作結(jié)溫:175°C
  功耗:200W

特�

GA1206A222GXBBT31G 的主要特性包括低�(dǎo)通電阻,能夠顯著減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。同�(shí),該器件具備快速開(kāi)�(guān)速度,可降低�(kāi)�(guān)損耗,并支持高頻應(yīng)��
  此外,其出色的熱特性和較高的工作溫度范圍使其非常適合于高溫�(huán)境下的操�。它還具有良好的電氣�(wěn)定性和抗干擾能�,可以確保在�(fù)雜電磁環(huán)境中的可靠運(yùn)��
  該器件的�(shè)�(jì)考慮了電磁兼容性要�,能夠有效抑制噪聲和射頻干擾。另�,其緊湊的封裝形式有助于減小整體電路尺寸,滿(mǎn)足現(xiàn)代電子產(chǎn)品小型化的需求�

�(yīng)�

該功� MOSFET 常用� DC-DC �(zhuǎn)換器、同步整流器、電�(jī)控制器、LED �(qū)�(dòng)器以及各種工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
  在消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品領(lǐng)�,它適用于筆記本電腦適配器、電視電源和家用電器等產(chǎn)�。同�(shí),在汽車(chē)電子方面,這款芯片可用于車(chē)載充電器、電�(dòng)�(chē)窗控制系�(tǒng)和電�(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)等關(guān)鍵部件�
  由于其優(yōu)異的性能指標(biāo)和可靠�,GA1206A222GXBBT31G 還被廣泛�(yīng)用于通信基站電源、不間斷電源(UPS) 和太�(yáng)能逆變器等能源相關(guān)�(lǐng)��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP5500
  AON7904A

ga1206a222gxbbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容2200 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-