GA1206A222JXCBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應用于高效率開關電源、DC-DC 轉換器以及電機驅動等場景。該芯片采用了先進的制造工�,具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能,非常適合對效率和散熱有較高要求的應用場合�
這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器�,能夠提供卓越的電流承載能力和快速動�(tài)響應能力。通過�(yōu)化設�,它在高頻開關條件下表現(xiàn)出色,并且能夠在較寬的工作電壓范圍內(nèi)�(wěn)定運��
類型:N溝道增強型MOSFET
額定電壓(Vds):120V
額定電流(Id):65A
導通電阻(Rds(on)):2.2mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
柵極電荷(Qg):79nC(典型值)
輸入電容(Ciss):4820pF(典型值)
輸出電容(Coss):340pF(典型值)
反向傳輸電容(Crss):260pF(典型值)
最大功耗:315W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
GA1206A222JXCBR31G 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電� (2.2mΩ),可顯著降低導通損�,提高整體效��
2. 快速的開關速度和較低的柵極電荷 (79nC),適合高頻應��
3. 具備出色的熱�(wěn)定�,能在高溫環(huán)境下持續(xù)工作�
4. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常條件下的耐受��
5. 小型化封裝設�,便于集成到緊湊型電路中�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全可靠�
這些特性使該器件成為高效率電源轉換和電機驅動的理想選擇�
GA1206A222JXCBR31G 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換器中的功率級開關�
2. 電動汽車 (EV) 和混合動力汽� (HEV) 中的逆變器及輔助系統(tǒng)�
3. 工業(yè)自動化設備中的電機控制和驅動�
4. 太陽能微逆變器和其他可再生能源相關設��
5. LED 照明系統(tǒng)的恒流或恒壓控制�
6. 通信電源和不間斷電源 (UPS) 的核心功率組��
其高效能和可靠性使其特別適合需要高功率密度和嚴格散熱管理的應用場景�
IRFP260N
FDP18N120
STP120NF10
IXFN120N10T
FDS8948