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GA1206A222KBABT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/6 12:06:08 查看 閱讀:9

GA1206A222KBABT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠有效降低系統(tǒng)能耗并提高效率。
  該器件具有增強(qiáng)型設(shè)計(jì),可承受較高的電壓和電流負(fù)載,同時(shí)支持高頻操作,廣泛適用于工業(yè)控制、消費(fèi)電子及通信設(shè)備中的各種功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  封裝形式:TO-252/DPAK
  最大漏源極電壓Vds:60V
  最大柵源極電壓Vgs:±20V
  最大漏極電流Id:40A
  導(dǎo)通電阻Rds(on):2.5mΩ(典型值,Vgs=10V時(shí))
  總功耗Ptot:73W
  工作結(jié)溫范圍Tj:-55℃ to +175℃
  柵極電荷Qg:38nC(典型值)

特性

GA1206A222KBABT31G 的顯著特點(diǎn)包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,可顯著減少傳導(dǎo)損耗,提升整體系統(tǒng)效率。
  2. 高速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合,減少開關(guān)損耗。
  3. 優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
  4. 強(qiáng)大的電流承載能力,滿足大功率應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
  5. 內(nèi)置反向恢復(fù)二極管,優(yōu)化同步整流電路設(shè)計(jì)。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代化電子產(chǎn)品中。

應(yīng)用

該芯片適用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級(jí)管理。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的逆變器模塊。
  3. 各種 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制。
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電池充電管理。
  6. 通信電源和新能源汽車相關(guān)的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。

替代型號(hào)

GA1206A221KBABT31G, IRF540N, FDP5500

ga1206a222kbabt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容2200 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-