GA1206A222KBCBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換等領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠在高頻應(yīng)用中提供高效的功率轉(zhuǎn)換。
其封裝形式為 TO-252(DPAK),能夠承受較高的電流和電壓,并且具備良好的散熱性能。此外,該器件還內(nèi)置了多種保護(hù)功能,例如過流保護(hù)和熱關(guān)斷功能,以確保在異常工作條件下的安全性。
型號(hào):GA1206A222KBCBT31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
最大連續(xù)漏極電流(Id):22A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ (典型值,在Vgs=10V時(shí))
總功耗(Ptot):97W
結(jié)溫范圍(Tj):-55°C至+175°C
封裝形式:TO-252(DPAK)
GA1206A222KBCBT31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),可有效降低導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)能力,適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。
3. 內(nèi)置過流保護(hù)和熱關(guān)斷功能,增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性和安全性。
4. 封裝形式緊湊,便于 PCB 布局設(shè)計(jì)。
5. 廣泛的工作溫度范圍,適合工業(yè)級(jí)和汽車級(jí)應(yīng)用環(huán)境。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
該芯片主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率控制。
3. 各類負(fù)載切換和保護(hù)電路。
4. 汽車電子中的電池管理系統(tǒng)(BMS)。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊。
6. 太陽(yáng)能逆變器和其他新能源相關(guān)設(shè)備。
GA1206A222KBCBT31G, IRFZ44N, FDP5800, AOT220L