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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A222KXBBR31G

GA1206A222KXBBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/12 1:22:07 查看 閱讀�5

GA1206A222KXBBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能。其封裝形式和電氣特性使其非常適合用于需要高效能和穩(wěn)定性的�(yīng)用場(chǎng)��
  該芯片通過(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì),能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)的整體效�。同�(shí),它還具備較�(qiáng)的抗電磁干擾能力,能夠在�(fù)雜的電磁�(huán)境中保持�(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

型號(hào):GA1206A222KXBBR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  漏源極電�(Vds)�60V
  連續(xù)漏極電流(Id)�40A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.2mΩ
  柵極電荷(Qg)�85nC
  工作溫度范圍�-55°C to 175°C
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206A222KXBBR31G具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(2.2mΩ�,可有效減少�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 高額定電流(40A)和耐壓值(60V�,適用于大功率應(yīng)用�
  3. 快速開(kāi)�(guān)特�,支持高頻操�,適合現(xiàn)代高效的電源�(zhuǎn)換器�
  4. �(yōu)秀的熱性能�(shè)�(jì),有助于改善散熱并延�(zhǎng)使用壽命�
  5. 提供可靠的ESD保護(hù),增�(qiáng)器件在惡劣環(huán)境中的穩(wěn)定��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

這款MOSFET廣泛�(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)及DC-DC�(zhuǎn)換器�
  的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  4. 新能源汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS)和逆變器�
  5. 太陽(yáng)能逆變器及其他綠色能源解決方案�
  6. 電信基礎(chǔ)�(shè)施中的高效功率轉(zhuǎn)換組件�

替代型號(hào)

IRFP2907, FDP55N60E, STP55NF06L

ga1206a222kxbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容2200 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-