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GA1206A271GBBBR31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/16 17:01:30 查看 閱讀:22

GA1206A271GBBBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動和DC-DC轉(zhuǎn)換器等場景。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)效率并減少熱損耗。
  這款功率MOSFET屬于增強(qiáng)型N溝道器件,支持高頻工作環(huán)境,并且具備出色的可靠性和穩(wěn)定性,適用于對效率和性能要求較高的應(yīng)用場合。

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):8.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  漏源極擊穿電壓(BVDSS):60V
  連續(xù)漏極電流(Id):90A(@25°C)
  柵極電荷(Qg):55nC
  輸入電容(Ciss):2240pF
  最大功耗:250W
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
  封裝形式:TO-247

特性

1. 超低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì),有助于降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 高速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
  3. 極低的反向恢復(fù)電荷,減少了開關(guān)過程中的能量損失。
  4. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能,提升了器件在實(shí)際使用中的抗靜電能力。
  5. 支持大電流操作,適用于多種高功率應(yīng)用場景。
  6. 寬工作溫度范圍確保了其在極端條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。
  7. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)。
  2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動及控制電路。
  3. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流。
  4. 電動車和混合動力汽車的動力管理系統(tǒng)。
  5. 光伏逆變器和其他可再生能源設(shè)備。
  6. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景。

替代型號

IRFP2907, FDP18N60C, STP100NF06L

ga1206a271gbbbr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容270 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-