時間：2025/5/16 17:01:30
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GA1206A271GBBBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動和DC-DC轉(zhuǎn)換器等場景。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠顯著提高系統(tǒng)效率并減少熱損耗。
這款功率MOSFET屬于增強(qiáng)型N溝道器件，支持高頻工作環(huán)境，并且具備出色的可靠性和穩(wěn)定性，適用于對效率和性能要求較高的應(yīng)用場合。
類型：N溝道 MOSFET
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：8.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
漏源極擊穿電壓（BVDSS）：60V
連續(xù)漏極電流（Id）：90A（@25°C）
柵極電荷（Qg）：55nC
輸入電容（Ciss）：2240pF
最大功耗：250W
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
封裝形式：TO-247
1. 超低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì)，有助于降低傳導(dǎo)損耗，提升系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 極低的反向恢復(fù)電荷，減少了開關(guān)過程中的能量損失。
4. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能，提升了器件在實(shí)際使用中的抗靜電能力。
5. 支持大電流操作，適用于多種高功率應(yīng)用場景。
6. 寬工作溫度范圍確保了其在極端條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。
7. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保。
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的功率開關(guān)。
2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動及控制電路。
3. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流。
4. 電動車和混合動力汽車的動力管理系統(tǒng)。
5. 光伏逆變器和其他可再生能源設(shè)備。
6. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景。
IRFP2907, FDP18N60C, STP100NF06L
