GA1206A271JXBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于電源管理、電機驅(qū)動和工業(yè)控制領域。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和高開關速度的特�,能夠顯著提升系�(tǒng)效率并減少熱量損��
其封裝形式為 TO-252 (DPAK),適合表面貼裝技� (SMT),具備良好的散熱性能和電氣特�,適用于需要高效能和高可靠性的應用場景�
型號:GA1206A271JXBBR31G
類型:N-Channel Power MOSFET
漏源極電� (Vds)�60V
連續(xù)漏極電流 (Id)�40A
柵極電荷 (Qg)�19nC
導通電� (Rds(on))�1.8mΩ
功� (Ptot)�32W
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝:TO-252 (DPAK)
GA1206A271JXBBR31G 具有以下關鍵特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),能夠在大電流應用中有效降低功耗�
2. 快速開關性能,支持高頻操作,適用于開關電� (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 高度可靠的封裝設�,能夠承受惡劣的工作�(huán)��
4. �(nèi)� ESD 保護功能,提高器件的抗靜電能��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全�
6. 支持表面貼裝工藝,簡化生�(chǎn)流程并提高裝配效��
該芯片的主要應用領域包括�
1. 開關電源 (SMPS)�
- PC 電源
- 服務器電�
- 工業(yè)電源
2. DC-DC �(zhuǎn)換器�
- 汽車電子
- 通信設備
3. 電機�(qū)動:
- 家用電器中的無刷直流電機 (BLDC)
- 工業(yè)自動化中的伺服電�
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS)�
- 電動工具
- 電動汽車
GA1206A271JXBBR29G, IRFZ44N, FDP5500