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GA1206A271KBABT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/19 17:37:35 查看 閱讀:16

GA1206A271KBABT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及各種開關(guān)應(yīng)用中。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提升系統(tǒng)效率并減少能量損耗。
  這款MOSFET為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,適用于高電流和高頻工作的場(chǎng)景,支持表面貼裝封裝形式,有助于提高電路板設(shè)計(jì)的靈活性。

參數(shù)

類型:N溝道MOSFET
  最大漏源電壓Vds:60V
  最大柵源電壓Vgs:±20V
  連續(xù)漏極電流Id:45A
  導(dǎo)通電阻Rds(on):1.8mΩ
  柵極電荷Qg:45nC
  總功耗Ptot:125W
  工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
  封裝形式:TO-247-3

特性

GA1206A271KBABT31G的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(1.8mΩ),可有效降低導(dǎo)通損耗。
  2. 快速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
  3. 高電流承載能力(45A),滿足大功率需求。
  4. 耐高溫設(shè)計(jì),工作溫度范圍可達(dá)-55℃至+175℃,適應(yīng)惡劣環(huán)境。
  5. 提供全面的靜電防護(hù)措施,增強(qiáng)了器件的可靠性。
  6. 表面貼裝封裝,便于自動(dòng)化生產(chǎn)和緊湊型設(shè)計(jì)。
  這些特點(diǎn)使得該MOSFET成為工業(yè)和汽車領(lǐng)域中的理想選擇。

應(yīng)用

GA1206A271KBABT31G適用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)及DC-DC轉(zhuǎn)換器。
  2. 工業(yè)電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)。
  3. 汽車電子系統(tǒng),如啟動(dòng)馬達(dá)和發(fā)電機(jī)控制。
  4. 大功率LED驅(qū)動(dòng)器。
  5. 不間斷電源(UPS)系統(tǒng)。
  6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)。
  由于其高效的功率處理能力和穩(wěn)定性,該器件在需要高效能和可靠性的應(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出。

替代型號(hào)

GA1206A281KBAAT31G, IRFZ44N, FDP55N06L

ga1206a271kbabt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容270 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-