GA1206A271KBABT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及各種開關(guān)應(yīng)用中。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提升系統(tǒng)效率并減少能量損耗。
這款MOSFET為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,適用于高電流和高頻工作的場(chǎng)景,支持表面貼裝封裝形式,有助于提高電路板設(shè)計(jì)的靈活性。
類型:N溝道MOSFET
最大漏源電壓Vds:60V
最大柵源電壓Vgs:±20V
連續(xù)漏極電流Id:45A
導(dǎo)通電阻Rds(on):1.8mΩ
柵極電荷Qg:45nC
總功耗Ptot:125W
工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
封裝形式:TO-247-3
GA1206A271KBABT31G的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(1.8mΩ),可有效降低導(dǎo)通損耗。
2. 快速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
3. 高電流承載能力(45A),滿足大功率需求。
4. 耐高溫設(shè)計(jì),工作溫度范圍可達(dá)-55℃至+175℃,適應(yīng)惡劣環(huán)境。
5. 提供全面的靜電防護(hù)措施,增強(qiáng)了器件的可靠性。
6. 表面貼裝封裝,便于自動(dòng)化生產(chǎn)和緊湊型設(shè)計(jì)。
這些特點(diǎn)使得該MOSFET成為工業(yè)和汽車領(lǐng)域中的理想選擇。
GA1206A271KBABT31G適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)及DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2. 工業(yè)電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)。
3. 汽車電子系統(tǒng),如啟動(dòng)馬達(dá)和發(fā)電機(jī)控制。
4. 大功率LED驅(qū)動(dòng)器。
5. 不間斷電源(UPS)系統(tǒng)。
6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)。
由于其高效的功率處理能力和穩(wěn)定性,該器件在需要高效能和可靠性的應(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出。
GA1206A281KBAAT31G, IRFZ44N, FDP55N06L