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GA1206A272FXABT31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 4:23:18 查看 閱讀�12

GA1206A272FXABT31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,主要用于開關和功率轉換應用。該器件采用先進的制造工藝,具備低導通電阻和高電流處理能�,廣泛應用于各種電子設備中以實現(xiàn)高效能的電力傳輸與控制�
  這款芯片屬于 N 溝道增強型場效應晶體�,適用于需要快速開關速度和低功耗的應用場景�

參數(shù)

類型:MOSFET
  極性:N-Channel
  漏源電壓(Vds)�60V
  連續(xù)漏極電流(Id)�50A
  柵極電荷(Qg)�90nC
  導通電�(Rds(on))�1.5mΩ
  封裝形式:TO-247
  工作溫度范圍�-55� to +175�

特�

GA1206A272FXABT31G 具有以下關鍵特性:
  1. 極低的導通電� (Rds(on)) 確保了在大電流應用中的高效性能,減少了功率損��
  2. 快速開關速度降低了開關損�,非常適合高頻功率轉換應用�
  3. 高額定電流能力使其能夠勝任大功率負載的需��
  4. 良好的熱�(wěn)定性設計,能夠在極端溫度環(huán)境下可靠運行�
  5. 封裝牢固耐用,便于安裝和散熱,適合工�(yè)級應��
  6. 提供可靠的電氣隔�,防止干擾并提高系統(tǒng)整體�(wěn)定��

應用

該芯片被廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源 (SMPS) � DC/DC 轉換��
  2. 電機驅動和逆變器模塊�
  3. 太陽能逆變器和其他可再生能源發(fā)電系�(tǒng)�
  4. 工業(yè)自動化設備中的功率控制單��
  5. 電動汽車 (EV) 和混合動力汽� (HEV) 的電池管理系�(tǒng) (BMS)�
  6. 各類家電及消費電子產(chǎn)品的功率調節(jié)電路�

替代型號

GA1206A272FXABT30G, IRFZ44N, FDP55N06L

ga1206a272fxabt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容2700 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-