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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A272JBCBR31G

GA1206A272JBCBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 14:48:01 查看 閱讀�14

GA1206A272JBCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、低功耗的�(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具備出色的�(kāi)�(guān)特性和�(dǎo)通性能,適用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)��
  其主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度以及良好的熱�(wěn)定�,能夠顯著提升系�(tǒng)能效并降低發(fā)熱�

參數(shù)

型號(hào):GA1206A272JBCBR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源電壓)�60V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�2.7mΩ
  ID(連續(xù)漏極電流):90A
  Qg(柵極電荷)�58nC
  VGS(柵源電壓):�20V
  fT(截止頻率)�1.4MHz
  封裝形式:TO-247-3
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA1206A272JBCBR31G 具有以下突出特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,僅�2.7mΩ,能夠有效減少功率損耗�
  2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,得益于其優(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),適合高頻應(yīng)��
  3. 高電流承載能�,支持高�(dá)90A的連續(xù)漏極電流�
  4. �(qiáng)大的熱性能,采用大尺寸金屬封裝,提高了散熱效率�
  5. 寬泛的工作溫度范�,使其能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保,�(wú)有害物質(zhì)�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于多種�(lǐng)域,包括但不限于�
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�,如AC-DC適配器和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于電�(dòng)�、家用電器等�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)�
  4. 太陽(yáng)能逆變器及�(chǔ)能系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模��
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS),提供高效的充放電控制�
  6. LED照明�(qū)�(dòng),確保高亮度輸出的同�(shí)保持節(jié)能效��

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP5500NL, STP90NF06L

ga1206a272jbcbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容2700 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-