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GA1206A272KBBBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 16:16:58 查看 閱讀�23

GA1206A272KBBBT31G是一款高性能的工�(yè)�(jí)功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并減少熱量損��
  其封裝形式為TO-247-3,適合大功率�(yīng)用環(huán)境,并且具有良好的散熱性能。通過�(yōu)化柵極電荷設(shè)�(jì),該芯片能夠在高頻工作條件下保持高效表現(xiàn)�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓Vds�1200V
  最大柵源電壓Vgs:�20V
  最大漏極電流Id�6A
  �(dǎo)通電阻Rds(on)�272mΩ(典型值,在Vgs=10V�(shí)�
  總柵極電荷Qg�35nC
  開關(guān)�(shí)間:開啟�(shí)間t_on=58ns,關(guān)閉時(shí)間t_off=36ns
  功耗:19.2W(在Tc=25℃時(shí)�
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

1. 高耐壓能力,最大漏源電壓高�(dá)1200V,適用于高壓�(yīng)用場(chǎng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),典型值為272毫歐�,有助于降低�(dǎo)通損��
  3. 總柵極電荷較�,僅�35納庫�,支持高頻開�(guān)操作�
  4. 良好的熱性能,采用TO-247-3封裝,具備出色的散熱能力�
  5. 工作溫度范圍寬廣,從-55℃到+175℃,滿足惡劣�(huán)境下的使用需��
  6. 具備短路保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的可靠性與安全��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)元件�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)�
  3. 工業(yè)控制�(lǐng)域中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  4. 大功率LED�(qū)�(dòng)器中的關(guān)鍵功率器件�
  5. 各種�(fù)載開�(guān)及保�(hù)電路中的隔離或切換組��
  6. 不間斷電�(UPS)系統(tǒng)中的逆變器部��

替代型號(hào)

GA1206A272KBBBT25G, IRFP460, STGW12N60DF2

ga1206a272kbbbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容2700 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-