GA1206A272KBBBT31G是一款高性能的工�(yè)�(jí)功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并減少熱量損��
其封裝形式為TO-247-3,適合大功率�(yīng)用環(huán)境,并且具有良好的散熱性能。通過�(yōu)化柵極電荷設(shè)�(jì),該芯片能夠在高頻工作條件下保持高效表現(xiàn)�
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓Vds�1200V
最大柵源電壓Vgs:�20V
最大漏極電流Id�6A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�272mΩ(典型值,在Vgs=10V�(shí)�
總柵極電荷Qg�35nC
開關(guān)�(shí)間:開啟�(shí)間t_on=58ns,關(guān)閉時(shí)間t_off=36ns
功耗:19.2W(在Tc=25℃時(shí)�
工作溫度范圍�-55℃至+175�
1. 高耐壓能力,最大漏源電壓高�(dá)1200V,適用于高壓�(yīng)用場(chǎng)��
2. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),典型值為272毫歐�,有助于降低�(dǎo)通損��
3. 總柵極電荷較�,僅�35納庫�,支持高頻開�(guān)操作�
4. 良好的熱性能,采用TO-247-3封裝,具備出色的散熱能力�
5. 工作溫度范圍寬廣,從-55℃到+175℃,滿足惡劣�(huán)境下的使用需��
6. 具備短路保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的可靠性與安全��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)�
3. 工業(yè)控制�(lǐng)域中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
4. 大功率LED�(qū)�(dòng)器中的關(guān)鍵功率器件�
5. 各種�(fù)載開�(guān)及保�(hù)電路中的隔離或切換組��
6. 不間斷電�(UPS)系統(tǒng)中的逆變器部��
GA1206A272KBBBT25G, IRFP460, STGW12N60DF2