GA1206A272KXABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應用于開關電源、DC-DC 轉換器以及電機驅動等領域。該芯片采用了先進的制造工藝,具備低導通電阻和高開關速度的特�,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
型號:GA1206A272KXABR31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�45A
導通電�(Rds(on))�2.7mΩ(典型值,� Vgs=10V 時)
總柵極電�(Qg)�80nC
輸入電容(Ciss)�2390pF
封裝形式:TO-247-3
GA1206A272KXABR31G 具有以下顯著特點�
1. 極低的導通電� Rds(on),可有效減少導通損��
2. 高電流承載能�,適用于大功率應用場��
3. 快速開關特�,有助于降低開關損��
4. �(wěn)定的工作性能,在高溫�(huán)境下仍能保持高效運行�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
6. �(nèi)� ESD 保護功能,提高了器件的抗靜電能力�
7. 采用 TO-247-3 封裝,便于散熱設��
該芯片廣泛應用于多種電力電子設備中,包括但不限于�
1. 開關電源 (SMPS) 的主開關��
2. DC-DC 轉換器中的同步整流管�
3. 工業(yè)級電機驅動電��
4. 太陽能逆變器中的功率轉換模��
5. 電動汽車充電樁及電池管理系統(tǒng)中的功率管理部分�
6. 各類大功率負載控制場合�
IRFZ44N
STP55NF06
FDP5500
IXFH40N06P3