GA1206A2R2BBEBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和直�-直流�(zhuǎn)換等�(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
這款芯片屬于 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型封�,便于在高密度設(shè)�(jì)中使�。通過(guò)�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),該器件在高頻工作條件下表現(xiàn)出色,同�(shí)支持高達(dá) 12V 的工作電��
最大漏源電壓:12V
連續(xù)漏極電流�6A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.2mΩ
柵極電荷�45nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)啟時(shí)� 12ns / �(guān)斷時(shí)� 18ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:BEBR31G
GA1206A2R2BBEBR31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著減少傳導(dǎo)損�,適合高效能�(yīng)��
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適用于高頻操作�(huán)��
3. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間�
4. �(qiáng)大的熱穩(wěn)定�,能夠在寬溫范圍�(nèi)可靠�(yùn)行�
5. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提高器件的抗靜電能力�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際規(guī)范要��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(kāi)�(guān)�
3. 直流-直流�(zhuǎn)換器中的主開(kāi)�(guān)或輔助開(kāi)�(guān)�
4. �(fù)載切換和電池管理系統(tǒng)的功率控��
5. 可穿戴設(shè)備和其他便攜式電子產(chǎn)品的功率管理模塊�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)與分配組��
GA1206A2R2BBEBR32G, IRFZ44N, FDP5500