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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A2R2BBEBR31G

GA1206A2R2BBEBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/19 17:39:02 查看 閱讀�22

GA1206A2R2BBEBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和直�-直流�(zhuǎn)換等�(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
  這款芯片屬于 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型封�,便于在高密度設(shè)�(jì)中使�。通過(guò)�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),該器件在高頻工作條件下表現(xiàn)出色,同�(shí)支持高達(dá) 12V 的工作電��

參數(shù)

最大漏源電壓:12V
  連續(xù)漏極電流�6A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�2.2mΩ
  柵極電荷�45nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)啟時(shí)� 12ns / �(guān)斷時(shí)� 18ns
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:BEBR31G

特�

GA1206A2R2BBEBR31G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著減少傳導(dǎo)損�,適合高效能�(yīng)��
  2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適用于高頻操作�(huán)��
  3. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間�
  4. �(qiáng)大的熱穩(wěn)定�,能夠在寬溫范圍�(nèi)可靠�(yùn)行�
  5. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提高器件的抗靜電能力�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際規(guī)范要��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(kāi)�(guān)�
  3. 直流-直流�(zhuǎn)換器中的主開(kāi)�(guān)或輔助開(kāi)�(guān)�
  4. �(fù)載切換和電池管理系統(tǒng)的功率控��
  5. 可穿戴設(shè)備和其他便攜式電子產(chǎn)品的功率管理模塊�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)與分配組��

替代型號(hào)

GA1206A2R2BBEBR32G, IRFZ44N, FDP5500

ga1206a2r2bbebr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容2.2 pF
  • 容差±0.1pF
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-