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GA1206A2R2CBBBT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/21 11:37:02 查看 閱讀：15

GA1206A2R2CBBBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，屬于溝道型增強(qiáng)模式器件。該型號(hào)主要用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器和其他需要高效能功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。此芯片采用先進(jìn)的制造工藝，能夠提供低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，從而降低能耗并提高系統(tǒng)效率。
　　該芯片具有出色的熱性能和電氣性能，適合高頻率和高功率密度的設(shè)計(jì)需求。同時(shí)，它也具備較高的可靠性和穩(wěn)定性，能夠在惡劣的工作環(huán)境下正常運(yùn)行。

參數(shù)

最大漏源電壓：120V
　　連續(xù)漏極電流：6A
　　導(dǎo)通電阻：2.2mΩ
　　柵極電荷：35nC
　　輸入電容：1280pF
　　總功耗：24W
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃

特性

GA1206A2R2CBBBT31G具有以下主要特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（2.2mΩ），有助于減少導(dǎo)通損耗，提升整體效率。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)速度，支持高頻應(yīng)用，降低開(kāi)關(guān)損耗。
　　3. 高耐壓能力（120V），適用于多種電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。
　　4. 出色的熱穩(wěn)定性，確保在高溫環(huán)境下仍能保持高性能。
　　5. 緊湊的封裝設(shè)計(jì)，節(jié)省PCB空間，便于小型化設(shè)計(jì)。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且易于集成到各種電子設(shè)備中。

應(yīng)用

這款芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
　　3. 電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)
　　4. 太陽(yáng)能逆變器
　　5. 電動(dòng)工具和家用電器中的功率管理
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高效能模塊
　　由于其優(yōu)異的性能表現(xiàn)，GA1206A2R2CBBBT31G特別適合要求高效能、高可靠性的電力電子應(yīng)用。

替代型號(hào)

GA1206A2R2CBBBT21G
　　IRF1206ZPBF
　　FDP1206AN
　　STP120NF06L

ga1206a2r2cbbbt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶（TR）
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容2.2 pF
  • 容差±0.25pF
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G，NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝，MLCC
  • 封裝/外殼1206（3216 公制）
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬（3.20mm x 1.60mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）-
  • 厚度（最大值）0.067"（1.70mm）
  • 引線間距-
  • 引線樣式-