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GA1206A2R7BBLBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/16 17:03:39 查看 閱讀�22

GA1206A2R7BBLBR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�。該器件采用增強型場效應(yīng)晶體管(e-mode HEMT)設(shè)�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適合用于高頻開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和無線充電等�(yīng)�。其封裝形式為小型化表面貼裝類型,便于在緊湊型電路板上進行布局和安��
  該型號屬于GaN Systems公司推出的高性能氮化電子、工�(yè)電源和通信�(shè)備領(lǐng)域進行了優(yōu)�。與傳統(tǒng)硅基MOSFET相比,GA1206A2R7BBLBR31G 提供了更高的功率密度和更低的能量損�,從而提升了整體系統(tǒng)的效率�

參數(shù)

額定電壓�650V
  額定電流�14A
  �(dǎo)通電阻:27mΩ
  柵極電荷�80nC
  輸出電容�980pF
  開關(guān)頻率:最高支持MHz級別
  工作溫度范圍�-40� � +125�
  封裝形式:LLP-8(表面貼裝)

特�

GA1206A2R7BBLBR31G 的主要特性包括:
  1. 高效開關(guān)性能:得益于氮化鎵材料的獨特屬�,該晶體管能�?qū)崿F(xiàn)更快的開�(guān)速度,同時保持較低的�(dǎo)通電阻�
  2. 小尺寸封裝:使用LLP-8封裝,使其非常適合空間受限的�(yīng)用場景�
  3. 熱穩(wěn)定性強:即使在較高溫度條件下也能保持穩(wěn)定的電氣特��
  4. 易于�(qū)動:兼容標準邏輯電平信號輸入,簡化了電路�(shè)計過��
  5. 低電磁干擾:�(yōu)化的�(shè)計減少了開關(guān)操作時產(chǎn)生的噪聲問題�
  6. 可靠性高:經(jīng)過嚴格測試以確保長期運行中的�(wěn)定性和耐用��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源適配�
  2. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電�
  3. 電動汽車車載充電�
  4. 快速充電器
  5. 工業(yè)電機�(qū)動器
  6. 光伏逆變�
  7. 無線電力傳輸系統(tǒng)
  8. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換模�
  這些�(yīng)用充分利用了GA1206A2R7BBLBR31G 的高效能和小體積�(yōu)�,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對高性能和節(jié)能的需��

替代型號

GS66508T
  GS61008P
  TX65014AL

ga1206a2r7bblbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容2.7 pF
  • 容差±0.1pF
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-