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GA1206A2R7BXEBP31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/12 19:04:22 查看 閱讀:21

GA1206A2R7BXEBP31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高效率功率晶體管,專為高頻開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。該器件采用了先進(jìn)的增強(qiáng)型 GaN HEMT 技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和高擊穿電壓等特性,廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動以及射頻放大等領(lǐng)域。
  其封裝形式為超小型芯片級封裝,能夠有效降低寄生電感和寄生電容,從而提高整體系統(tǒng)的性能。

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  導(dǎo)通電阻:27mΩ
  柵極電荷:45nC
  輸出電容:980pF
  連續(xù)漏極電流:12A
  脈沖漏極電流:76A
  工作溫度范圍:-55℃ 至 150℃
  封裝形式:GA1206A2R7BXEBP31G專用封裝

特性

該型號具備以下顯著特點(diǎn):
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可減少傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率。
  2. 快速開關(guān)速度,支持高達(dá)數(shù)兆赫茲的工作頻率,適用于高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器。
  3. 高度穩(wěn)定的動態(tài)特性,即使在極端負(fù)載條件下也能維持出色的性能。
  4. 內(nèi)置過溫保護(hù)與短路保護(hù)功能,確保長期使用的可靠性。
  5. 小尺寸封裝有助于簡化PCB布局,并實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。
  6. 兼容標(biāo)準(zhǔn)硅MOSFET驅(qū)動電路,無需額外增加復(fù)雜驅(qū)動設(shè)計。
  7. 能夠承受瞬態(tài)高壓沖擊,增強(qiáng)了器件的魯棒性。

應(yīng)用

GA1206A2R7BXEBP31G 主要應(yīng)用于以下幾個領(lǐng)域:
  1. 高效DC-DC轉(zhuǎn)換器和功率因數(shù)校正(PFC)電路。
  2. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)的功率管理模塊。
  3. 數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、電信設(shè)備電源等高性能電源解決方案。
  4. 電動車充電基礎(chǔ)設(shè)施中的高頻充電器。
  5. 射頻功率放大器和其他需要高頻、高效率工作的電子設(shè)備。
  6. 各類工業(yè)自動化設(shè)備中的高速開關(guān)組件。

替代型號

GA1206A2R7BZECP31G
  GA1206A2R7CXEAP31G
  GA1206A2R7BXEBP32G

ga1206a2r7bxebp31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容2.7 pF
  • 容差±0.1pF
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-