GA1206A330FBEBT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶體管,專為開關(guān)和功率放大應(yīng)用設(shè)計。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,在高頻和高電流條件下表現(xiàn)出優(yōu)異的性能,適用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動以及電信設(shè)備等領(lǐng)域。
其封裝形式為 TO-263(D2PAK),具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力,同時具備良好的熱性能。
型號:GA1206A330FBEBT31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):33A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V時)
功耗:175W
工作溫度范圍:-55℃至+175℃
封裝形式:TO-263(D2PAK)
GA1206A330FBEBT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在高電流應(yīng)用中減少功率損耗并提高效率。
2. 高速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 良好的熱穩(wěn)定性,能夠在寬溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
4. 高擊穿電壓(Vds),確保在高壓條件下的安全性。
5. 具備短路保護(hù)功能,延長器件壽命。
6. 采用無鉛環(huán)保材料,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。
這些特性使得 GA1206A330FBEBT31G 成為多種工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇。
該型號廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器和控制器。
2. 電機(jī)驅(qū)動電路,用于控制直流或無刷電機(jī)。
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
4. 電信基礎(chǔ)設(shè)施中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS),實(shí)現(xiàn)高效的充電和放電控制。
6. LED 照明驅(qū)動器,提供穩(wěn)定可靠的電流輸出。
由于其卓越的性能和可靠性,這款 MOSFET 在各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用中備受青睞。
IRF3205, SI4860DP, FDMQ8203