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GA1206A330FBEBT31G 發(fā)布時間 時間:2025/6/3 22:05:36 查看 閱讀:10

GA1206A330FBEBT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶體管,專為開關(guān)和功率放大應(yīng)用設(shè)計。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,在高頻和高電流條件下表現(xiàn)出優(yōu)異的性能,適用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動以及電信設(shè)備等領(lǐng)域。
  其封裝形式為 TO-263(D2PAK),具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力,同時具備良好的熱性能。

參數(shù)

型號:GA1206A330FBEBT31G
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):33A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V時)
  功耗:175W
  工作溫度范圍:-55℃至+175℃
  封裝形式:TO-263(D2PAK)

特性

GA1206A330FBEBT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在高電流應(yīng)用中減少功率損耗并提高效率。
  2. 高速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
  3. 良好的熱穩(wěn)定性,能夠在寬溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
  4. 高擊穿電壓(Vds),確保在高壓條件下的安全性。
  5. 具備短路保護(hù)功能,延長器件壽命。
  6. 采用無鉛環(huán)保材料,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。
  這些特性使得 GA1206A330FBEBT31G 成為多種工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇。

應(yīng)用

該型號廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器和控制器。
  2. 電機(jī)驅(qū)動電路,用于控制直流或無刷電機(jī)。
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
  4. 電信基礎(chǔ)設(shè)施中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS),實(shí)現(xiàn)高效的充電和放電控制。
  6. LED 照明驅(qū)動器,提供穩(wěn)定可靠的電流輸出。
  由于其卓越的性能和可靠性,這款 MOSFET 在各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用中備受青睞。

替代型號

IRF3205, SI4860DP, FDMQ8203

ga1206a330fbebt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容33 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-