GA1206A330JBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種電源管理�(yīng)�。其封裝形式� TO-247,能夠有效散熱并承受較大的電流負(fù)�。該芯片廣泛用于工業(yè)�(shè)�、通信電源以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中� DC-DC �(zhuǎn)換器和開�(guān)電源等場景�
這款功率 MOSFET 的設(shè)計目�(biāo)是提供更高的效率和可靠�,同時減少系�(tǒng)損耗,非常適合需要高效能和高�(wěn)定性的電路�(shè)��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�33A
�(dǎo)通電阻:0.018Ω
柵極電荷�90nC
開關(guān)頻率�100kHz~500kHz
工作溫度范圍�-55℃~+175�
GA1206A330JBABR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 高耐壓能力�650V�,使其適用于高壓�(yīng)用場��
3. 快速開�(guān)性能,可滿足高頻開關(guān)電源的設(shè)計需��
4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)器件在實(shí)際應(yīng)用中的魯棒性�
5. 封裝具備良好的散熱性能,確保長期運(yùn)行時的穩(wěn)定��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合全球市場的應(yīng)用需��
GA1206A330JBABR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)動及控制
4. 工業(yè)電源
5. 通信�(shè)備電源模�
6. 太陽能逆變�
7. 不間斷電源(UPS�
8. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的適配器與充電�