GA1206A330JXABP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,專為高效率、低損耗的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,適用于多種電源管理應(yīng)用,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開(kāi)關(guān)等。其封裝形式和電氣性能使其成為許多工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇。
型號(hào):GA1206A330JXABP31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
額定電壓:60V
額定電流:33A
導(dǎo)通電阻:3.5mΩ(典型值)
柵極電荷:48nC(最大值)
開(kāi)關(guān)速度:快速開(kāi)關(guān)
封裝形式:TO-263(D2PAK)
工作溫度范圍:-55°C 至 175°C
GA1206A330JXABP31G 具有出色的電氣性能和可靠性。其主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)特性,減少開(kāi)關(guān)損耗并支持高頻操作。
3. 高雪崩耐量能力,增強(qiáng)在過(guò)載條件下的保護(hù)性能。
4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品需求。
5. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下長(zhǎng)期可靠運(yùn)行。
6. 封裝形式緊湊,便于 PCB 布局和散熱設(shè)計(jì)。
這款功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開(kāi)關(guān)元件。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換和保護(hù)功能。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效能電源管理解決方案。
6. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)的功率處理模塊。
IRFZ44N
STP36NF06L
FDP5800