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GA1206A330JXABP31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/10 17:22:51 查看 閱讀:20

GA1206A330JXABP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,專為高效率、低損耗的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,適用于多種電源管理應(yīng)用,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開(kāi)關(guān)等。其封裝形式和電氣性能使其成為許多工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇。

參數(shù)

型號(hào):GA1206A330JXABP31G
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  額定電壓:60V
  額定電流:33A
  導(dǎo)通電阻:3.5mΩ(典型值)
  柵極電荷:48nC(最大值)
  開(kāi)關(guān)速度:快速開(kāi)關(guān)
  封裝形式:TO-263(D2PAK)
  工作溫度范圍:-55°C 至 175°C

特性

GA1206A330JXABP31G 具有出色的電氣性能和可靠性。其主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 快速開(kāi)關(guān)特性,減少開(kāi)關(guān)損耗并支持高頻操作。
  3. 高雪崩耐量能力,增強(qiáng)在過(guò)載條件下的保護(hù)性能。
  4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品需求。
  5. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下長(zhǎng)期可靠運(yùn)行。
  6. 封裝形式緊湊,便于 PCB 布局和散熱設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

這款功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開(kāi)關(guān)元件。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換和保護(hù)功能。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效能電源管理解決方案。
  6. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)的功率處理模塊。

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP36NF06L
  FDP5800

ga1206a330jxabp31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容33 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-