GA1206A331FBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)電路等應(yīng)用。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效提升系�(tǒng)的效率和可靠��
該器件為 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,具有出色的熱穩(wěn)定性和電氣性能,適用于多種工業(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�33A
�(dǎo)通電阻:3.1mΩ
柵極電荷�85nC
開關(guān)�(shí)間:開啟�(shí)� 15ns,關(guān)斷時(shí)� 25ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1206A331FBABR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低功耗并提高效率�
2. 快速的開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. 高度�(wěn)定的電氣性能,在寬溫范圍�(nèi)保持一致的工作狀�(tài)�
4. �(nèi)置靜電保�(hù)功能,增�(qiáng)器件的抗干擾能力�
5. 小型化的封裝�(shè)�(jì),節(jié)� PCB 布局空間,便于系�(tǒng)集成�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛材��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電動(dòng)工具、家用電器和工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和電源管理模塊�
4. 高效節(jié)能的 LED �(qū)�(dòng)電路�
5. 各類保護(hù)電路,如過流保護(hù)和短路保�(hù)�
6. 其他需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��
IRF3710, FDP157N06L, STP33NF06L