GA1206A331JXCBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)秀的熱性能等特性。其封裝形式為緊湊型表面貼裝,適用于高密度電路設(shè)計(jì)。
型號(hào):GA1206A331JXCBT31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vdss):60V
最大連續(xù)漏極電流(Id):33A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ
柵極電荷(Qg):45nC
工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
封裝形式:TO-LEADLESS
GA1206A331JXCBT31G 提供了卓越的電氣性能,具體如下:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,減少了傳導(dǎo)損耗并提高了系統(tǒng)效率。
2. 高開關(guān)速度,支持高頻應(yīng)用。
3. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,能夠在極端條件下保持可靠運(yùn)行。
4. 內(nèi)置ESD保護(hù),增強(qiáng)了器件的抗靜電能力。
5. 小型化封裝,節(jié)省PCB空間,適合現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化的要求。
該器件適用于以下場(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率開關(guān)。
3. 電動(dòng)工具、家用電器和工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
4. 各類負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制。
GA1206A330JXCBT31G
IRF3205
FDP5570N
STP36NF06L