GA1206A332GBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能。其封裝形式� TO-252(DPAK�,適用于各種高效率和高密度的電力電子�(shè)�(jì)�
該器件在高頻工作條件下表�(xiàn)�(yōu)�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗和�(kāi)�(guān)損耗,從而提升整體系�(tǒng)效率�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�32A
�(dǎo)通電阻:3.3mΩ
柵極電荷�49nC
�(kāi)�(guān)速度:非?�?br> 封裝形式:TO-252 (DPAK)
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1206A332GBABR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(3.3mΩ 典型值),能夠在大電流應(yīng)用中減少功��
2. 高效的開(kāi)�(guān)性能,得益于�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
3. �(qiáng)大的熱管理能�,通過(guò)金屬背板�(shí)�(xiàn)高效的熱量散�(fā)�
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠性高�
5. �(nèi)� ESD 保護(hù)電路,提高了器件的抗靜電能力�
6. 支持高電流連續(xù)�(yùn)�,適用于工業(yè)�(jí)或汽車級(jí)需��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
4. 汽車電子系統(tǒng)
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
6. 太陽(yáng)能逆變器及�(chǔ)能系�(tǒng)
7. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)�
IRF3710, FDP18N60C, AO6604