GA1206A332GBABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的溝槽式 MOSFET 技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能。其封裝形式為 TO-252(DPAK),適用于各種高效率和高密度的電力電子設(shè)計(jì)。
該器件在高頻工作條件下表現(xiàn)優(yōu)異,能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗,從而提升整體系統(tǒng)效率。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:32A
導(dǎo)通電阻:3.3mΩ
柵極電荷:49nC
開(kāi)關(guān)速度:非�?�
封裝形式:TO-252 (DPAK)
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
GA1206A332GBABR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(3.3mΩ 典型值),能夠在大電流應(yīng)用中減少功耗。
2. 高效的開(kāi)關(guān)性能,得益于優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì),適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
3. 強(qiáng)大的熱管理能力,通過(guò)金屬背板實(shí)現(xiàn)高效的熱量散發(fā)。
4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠性高。
5. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)電路,提高了器件的抗靜電能力。
6. 支持高電流連續(xù)運(yùn)行,適用于工業(yè)級(jí)或汽車級(jí)需求。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
4. 汽車電子系統(tǒng)
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
6. 太陽(yáng)能逆變器及儲(chǔ)能系統(tǒng)
7. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合
IRF3710, FDP18N60C, AO6604