GA1206A391GBLBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高功率密度和高效能轉(zhuǎn)換場(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。其封裝形式支持高效的散熱管理,適用于工�(yè)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、太�(yáng)能逆變器以及通信電源等領(lǐng)域�
該器件在�(shè)�(jì)上注重效率與可靠�,在高負(fù)載條件下仍能保持�(wěn)定的性能表現(xiàn),同�(shí)具有�(qiáng)大的抗電磁干擾能��
�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
最大漏源電�(Vds)�650V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�36A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�40mΩ
總功�(Ptot)�350W
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247-3
GA1206A391GBLBT31G的核心特性在于其卓越的電氣性能和散熱能�。它采用了先�(jìn)的超�(jié)技�(shù),有效降低了�(dǎo)通電阻并提高了開(kāi)�(guān)速度。此�,該芯片�(nèi)置了多重保護(hù)�(jī)�,包括過(guò)流保�(hù)、短路保�(hù)以及�(guò)溫關(guān)斷功�,從而提升了系統(tǒng)的整體安全��
該器件的�(kāi)�(guān)頻率范圍較寬,適合高頻應(yīng)用環(huán)�,并且能夠承受瞬�(tài)電壓沖擊。在�(dòng)�(tài)性能方面,其輸入電容(Ciss)較低,�(jìn)一步減少了�(kāi)�(guān)損��
同時(shí),其�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)增強(qiáng)了散熱效率,使得即使在高功率�(yīng)用場(chǎng)景下也能保證�(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)��
這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于各種高功率電子系�(tǒng)�,例如開(kāi)�(guān)電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)、直�-直流�(zhuǎn)換器、電�(dòng)工具�(qū)�(dòng)電路以及新能源發(fā)電設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊等�
在工�(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,它可以作為核心功率元件用于伺服電�(jī)控制和機(jī)器人�(qū)�(dòng)系統(tǒng)。此外,在電�(dòng)汽車(chē)(EV)及混合動(dòng)力汽�(chē)(HEV)的車(chē)載充電器和逆變器中也具有廣泛應(yīng)用前��
GA1206A390GBLBT31G
IRFP460
FQP50N06L