GA1206A391KXBBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高效率開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動以及負(fù)載切換等場景。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠顯著提高系統(tǒng)的整體效率并降低能耗。
其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-247,適合大功率應(yīng)用場合,同時(shí)具有良好的散熱性能和電氣穩(wěn)定性。
型號:GA1206A391KXBBR31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds):1200V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
最大連續(xù)漏極電流(Id):39A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):39mΩ(典型值,在Vgs=10V時(shí))
總柵極電荷(Qg):185nC
輸入電容(Ciss):3500pF
工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
1. 超低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì),有助于降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)能力,適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
3. 高額定電壓和電流支持,確保在嚴(yán)苛條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 極佳的熱性能,減少對額外散熱措施的需求。
5. 具備短路保護(hù)功能,增強(qiáng)器件的可靠性和安全性。
6. 封裝兼容性強(qiáng),便于集成到各種電路板設(shè)計(jì)中。
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管。
2. 電動汽車及混合動力汽車的電機(jī)驅(qū)動控制器。
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)。
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
5. 各類工業(yè)級和消費(fèi)級大功率電子設(shè)備。
6. 不間斷電源(UPS)系統(tǒng)的功率管理模塊。
GA1206A391KXBBR32G, IRFP460, STW47N120