GA1206A392GBBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,專為高效率、低損耗的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。該芯片采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造,具有極低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)特性,適用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換等應(yīng)用領(lǐng)域。
這款器件通過優(yōu)化柵極電荷和導(dǎo)通電阻的權(quán)衡,實(shí)現(xiàn)了卓越的動(dòng)態(tài)性能與靜態(tài)性能,從而有效降低系統(tǒng)能耗,提高整體效率。
類型:功率 MOSFET
封裝形式:TO-247
耐壓:1200V
連續(xù)漏極電流:6A
導(dǎo)通電阻:392mΩ
柵極電荷:35nC
工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃
輸入電容:1200pF
GA1206A392GBBBR31G 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力(1200V),使其能夠在高壓環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行。
2. 極低的導(dǎo)通電阻(392mΩ),顯著減少導(dǎo)通損耗,提升效率。
3. 快速的開關(guān)速度,得益于較小的柵極電荷(35nC),適合高頻應(yīng)用。
4. 廣泛的工作溫度范圍(-55℃ 至 175℃),適應(yīng)極端環(huán)境下的使用需求。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠性高。
6. 采用 TO-247 封裝,易于安裝和散熱設(shè)計(jì)。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 工業(yè)電源及適配器設(shè)計(jì)。
2. 太陽能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
3. 電動(dòng)車充電設(shè)備中的高效功率管理。
4. 各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,如伺服電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)等。
5. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器及 PFC(功率因數(shù)校正)電路。
6. 其他需要高電壓、大電流切換的應(yīng)用場(chǎng)景。
IRFP460, FQP18N120