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GA1206A392GBBBR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/12 19:09:05 查看 閱讀:27

GA1206A392GBBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,專為高效率、低損耗的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。該芯片采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造,具有極低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)特性,適用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換等應(yīng)用領(lǐng)域。
  這款器件通過優(yōu)化柵極電荷和導(dǎo)通電阻的權(quán)衡,實(shí)現(xiàn)了卓越的動(dòng)態(tài)性能與靜態(tài)性能,從而有效降低系統(tǒng)能耗,提高整體效率。

參數(shù)

類型:功率 MOSFET
  封裝形式:TO-247
  耐壓:1200V
  連續(xù)漏極電流:6A
  導(dǎo)通電阻:392mΩ
  柵極電荷:35nC
  工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃
  輸入電容:1200pF

特性

GA1206A392GBBBR31G 的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力(1200V),使其能夠在高壓環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行。
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(392mΩ),顯著減少導(dǎo)通損耗,提升效率。
  3. 快速的開關(guān)速度,得益于較小的柵極電荷(35nC),適合高頻應(yīng)用。
  4. 廣泛的工作溫度范圍(-55℃ 至 175℃),適應(yīng)極端環(huán)境下的使用需求。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠性高。
  6. 采用 TO-247 封裝,易于安裝和散熱設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 工業(yè)電源及適配器設(shè)計(jì)。
  2. 太陽能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
  3. 電動(dòng)車充電設(shè)備中的高效功率管理。
  4. 各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,如伺服電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)等。
  5. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器及 PFC(功率因數(shù)校正)電路。
  6. 其他需要高電壓、大電流切換的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

IRFP460, FQP18N120

ga1206a392gbbbr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容3900 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-