GA1206A3R3BXABP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。該芯片采用了先進(jìn)的溝槽式結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),能夠顯著降低導(dǎo)通電阻,并提高效率與散熱性能。
其封裝形式為緊湊型表面貼裝器件,適合高密度電路板設(shè)計(jì)。同時(shí),它具備出色的耐熱特性和可靠的電氣性能,在多種工業(yè)及消費(fèi)類(lèi)電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。
型號(hào):GA1206A3R3BXABP31G
類(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):15A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3mΩ (典型值)
總柵極電荷(Qg):45nC
輸入電容(Ciss):2280pF
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝形式:TO-Leadless (TOLL)
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可有效減少傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率。
2. 高雪崩能量能力,確保在異常條件下仍能穩(wěn)定運(yùn)行。
3. 快速開(kāi)關(guān)速度,有助于降低開(kāi)關(guān)損耗。
4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保。
5. 先進(jìn)的制造工藝保證了產(chǎn)品具有更高的可靠性和一致性。
6. 支持高頻應(yīng)用,適用于多種功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。
7. 良好的熱性能設(shè)計(jì),即使在高溫環(huán)境下也能保持優(yōu)異表現(xiàn)。
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的功率級(jí)控制。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流功能。
3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換。
5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的電池管理與保護(hù)。
6. LED 照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)動(dòng)。
7. 通信電源和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用領(lǐng)域。
GA1206A3R3BZA, IRF540N, FDP5500, AO3400