GA1206A3R3BXABP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域。該芯片采用了先�(jìn)的溝槽式�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),能夠顯著降低導(dǎo)通電阻,并提高效率與散熱性能�
其封裝形式為緊湊型表面貼裝器件,適合高密度電路板�(shè)�(jì)。同�(shí),它具備出色的耐熱特性和可靠的電氣性能,在多種工業(yè)及消�(fèi)�(lèi)電子�(shè)備中得到了廣泛應(yīng)��
型號(hào):GA1206A3R3BXABP31G
�(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�15A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�3mΩ (典型�)
總柵極電�(Qg)�45nC
輸入電容(Ciss)�2280pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-Leadless (TOLL)
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效減少傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 高雪崩能量能�,確保在異常條件下仍能穩(wěn)定運(yùn)��
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,有助于降低�(kāi)�(guān)損��
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
5. 先�(jìn)的制造工藝保證了�(chǎn)品具有更高的可靠性和一致��
6. 支持高頻�(yīng)�,適用于多種功率�(zhuǎn)換場(chǎng)��
7. 良好的熱性能�(shè)�(jì),即使在高溫�(huán)境下也能保持�(yōu)異表�(xiàn)�
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率�(jí)控制�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流功能�
3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
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5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的電池管理與保�(hù)�
6. LED 照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)�(dòng)�
7. 通信電源和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用領(lǐng)��
GA1206A3R3BZA, IRF540N, FDP5500, AO3400