GA1206A3R3DBABT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)�。該芯片采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高效率和快速開�(guān)特性。其封裝形式� TO-252(DPAK�,適合表面貼裝工�,能夠有效降低系�(tǒng)成本并提高可靠��
該型號屬� GaN Systems 公司的產(chǎn)品系�,旨在提供高效能解決方案以滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備的需求�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�3.3A
�(dǎo)通電阻:0.4Ω
柵極電荷�17nC
開關(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55� � +150�
GA1206A3R3DBABT31G 具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著減少功率損��
2. 快速的開關(guān)速度,有助于提高系統(tǒng)效率并減小濾波元件的尺寸�
3. 高擊穿電壓設(shè)�,確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運��
4. 小型化封�,支持高密度電路板布局�
5. 出色的熱性能,允許更高的功率密度�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
這款芯片�(jié)合了�(yōu)異的電氣性能與緊湊的�(shè)計,非常適合需要高效率和高可靠性的�(yīng)用場��
GA1206A3R3DBABT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS),包� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 工業(yè)電機�(qū)動和控制系統(tǒng)�
3. 新能源汽車中的車載充電器和逆變��
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
5. LED �(qū)動電源及各類高效能電力轉(zhuǎn)換裝��
由于其出色的性能,該芯片成為許多高要求應(yīng)用場景的理想選擇�
GA1206A3R3DBABT30G
GA1206A3R3DBABT32G