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GA1206A3R3DBEBR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/23 10:25:52 查看 閱讀:15

GA1206A3R3DBEBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,專(zhuān)為高效率開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
  該芯片屬于溝道增強(qiáng)型 MOSFET,具有出色的熱性能和電氣性能,適合在高電流和高頻條件下工作。此外,其封裝形式經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可提供更好的散熱能力和機(jī)械穩(wěn)定性。

參數(shù)

型號(hào):GA1206A3R3DBEBR31G
  類(lèi)型:N-Channel MOSFET
  漏源極擊穿電壓(Vds):60V
  連續(xù)漏極電流(Id):30A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3mΩ(典型值,在 Vgs=10V 時(shí))
  柵極電荷(Qg):85nC
  輸入電容(Ciss):4000pF
  最大功耗:180W
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:TO-247

特性

GA1206A3R3DBEBR31G 具有以下關(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高整體效率。
  2. 快速開(kāi)關(guān)速度,能夠有效降低開(kāi)關(guān)損耗。
  3. 高額定電流能力,支持高達(dá) 30A 的連續(xù)漏極電流。
  4. 優(yōu)化的熱阻設(shè)計(jì),確保在高功率應(yīng)用場(chǎng)景中的可靠運(yùn)行。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無(wú)鉛。
  6. 強(qiáng)大的抗浪涌能力,適用于惡劣的工作環(huán)境。
  7. 封裝牢固耐用,適合自動(dòng)化貼裝和焊接工藝。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS),如 AC-DC 轉(zhuǎn)換器和適配器。
  2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
  3. 工業(yè)設(shè)備中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
  4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相關(guān)設(shè)備。
  5. 電動(dòng)汽車(chē)充電模塊和電池管理系統(tǒng)(BMS)。
  6. 各類(lèi)需要高效功率轉(zhuǎn)換的工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品。

替代型號(hào)

IRFP2907ZPBF, FDP18N65C3, STP30NF60

ga1206a3r3dbebr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容3.3 pF
  • 容差±0.5pF
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-