GA1206A3R3DBEBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專(zhuān)為高效率�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及 DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
該芯片屬于溝道增�(qiáng)� MOSFET,具有出色的熱性能和電氣性能,適合在高電流和高頻條件下工�。此外,其封裝形式經(jīng)�(guò)�(yōu)�,可提供更好的散熱能力和�(jī)械穩(wěn)定��
型號(hào):GA1206A3R3DBEBR31G
�(lèi)型:N-Channel MOSFET
漏源極擊穿電壓(Vds):60V
連續(xù)漏極電流(Id):30A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):3mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
柵極電荷(Qg):85nC
輸入電容(Ciss):4000pF
最大功耗:180W
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GA1206A3R3DBEBR31G 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損�,提高整體效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,能夠有效降低開(kāi)�(guān)損耗�
3. 高額定電流能�,支持高�(dá) 30A 的連續(xù)漏極電流�
4. �(yōu)化的熱阻�(shè)�(jì),確保在高功率應(yīng)用場(chǎng)景中的可靠運(yùn)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)��
6. �(qiáng)大的抗浪涌能�,適用于惡劣的工作環(huán)境�
7. 封裝牢固耐用,適合自�(dòng)化貼裝和焊接工藝�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�,如 AC-DC �(zhuǎn)換器和適配器�
2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
3. 工業(yè)�(shè)備中� DC-DC �(zhuǎn)換器�
4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)備�
5. 電動(dòng)汽車(chē)充電模塊和電池管理系�(tǒng)(BMS��
6. 各類(lèi)需要高效功率轉(zhuǎn)換的工業(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)��
IRFP2907ZPBF, FDP18N65C3, STP30NF60