GA1206A3R3DBEBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,專(zhuān)為高效率開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
該芯片屬于溝道增強(qiáng)型 MOSFET,具有出色的熱性能和電氣性能,適合在高電流和高頻條件下工作。此外,其封裝形式經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可提供更好的散熱能力和機(jī)械穩(wěn)定性。
型號(hào):GA1206A3R3DBEBR31G
類(lèi)型:N-Channel MOSFET
漏源極擊穿電壓(Vds):60V
連續(xù)漏極電流(Id):30A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3mΩ(典型值,在 Vgs=10V 時(shí))
柵極電荷(Qg):85nC
輸入電容(Ciss):4000pF
最大功耗:180W
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝形式:TO-247
GA1206A3R3DBEBR31G 具有以下關(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高整體效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)速度,能夠有效降低開(kāi)關(guān)損耗。
3. 高額定電流能力,支持高達(dá) 30A 的連續(xù)漏極電流。
4. 優(yōu)化的熱阻設(shè)計(jì),確保在高功率應(yīng)用場(chǎng)景中的可靠運(yùn)行。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無(wú)鉛。
6. 強(qiáng)大的抗浪涌能力,適用于惡劣的工作環(huán)境。
7. 封裝牢固耐用,適合自動(dòng)化貼裝和焊接工藝。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS),如 AC-DC 轉(zhuǎn)換器和適配器。
2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
3. 工業(yè)設(shè)備中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相關(guān)設(shè)備。
5. 電動(dòng)汽車(chē)充電模塊和電池管理系統(tǒng)(BMS)。
6. 各類(lèi)需要高效功率轉(zhuǎn)換的工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品。
IRFP2907ZPBF, FDP18N65C3, STP30NF60