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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A3R3DBEBR31G

GA1206A3R3DBEBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/23 10:25:52 查看 閱讀�15

GA1206A3R3DBEBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專(zhuān)為高效率�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及 DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  該芯片屬于溝道增�(qiáng)� MOSFET,具有出色的熱性能和電氣性能,適合在高電流和高頻條件下工�。此外,其封裝形式經(jīng)�(guò)�(yōu)�,可提供更好的散熱能力和�(jī)械穩(wěn)定��

參數(shù)

型號(hào):GA1206A3R3DBEBR31G
  �(lèi)型:N-Channel MOSFET
  漏源極擊穿電壓(Vds):60V
  連續(xù)漏極電流(Id):30A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):3mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷(Qg):85nC
  輸入電容(Ciss):4000pF
  最大功耗:180W
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206A3R3DBEBR31G 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損�,提高整體效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度,能夠有效降低開(kāi)�(guān)損耗�
  3. 高額定電流能�,支持高�(dá) 30A 的連續(xù)漏極電流�
  4. �(yōu)化的熱阻�(shè)�(jì),確保在高功率應(yīng)用場(chǎng)景中的可靠運(yùn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)��
  6. �(qiáng)大的抗浪涌能�,適用于惡劣的工作環(huán)境�
  7. 封裝牢固耐用,適合自�(dòng)化貼裝和焊接工藝�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�,如 AC-DC �(zhuǎn)換器和適配器�
  2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  3. 工業(yè)�(shè)備中� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)備�
  5. 電動(dòng)汽車(chē)充電模塊和電池管理系�(tǒng)(BMS��
  6. 各類(lèi)需要高效功率轉(zhuǎn)換的工業(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)��

替代型號(hào)

IRFP2907ZPBF, FDP18N65C3, STP30NF60

ga1206a3r3dbebr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容3.3 pF
  • 容差±0.5pF
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-