GA1206A3R9CBABT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用先進的半導(dǎo)體工藝制�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特點,適合用于電源管理、電機驅(qū)動以� DC-DC �(zhuǎn)換器等場��
該芯片通過�(yōu)化柵極電荷和輸出電容參數(shù),顯著降低了開關(guān)損�,從而提升了整體系統(tǒng)效率。此�,其堅固的設(shè)計和出色的熱性能也使其能夠在�(yán)苛的工作�(huán)境下�(wěn)定運��
型號:GA1206A3R9CBABT31G
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電壓(Vds):120V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):6.4A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):35mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
柵極電荷(Qg):17nC(典型值)
輸入電容(Ciss):830pF(典型值)
反向恢復(fù)時間(trr):30ns(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
1. 高效低導(dǎo)通電�,減少傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)性能,適用于高頻�(yīng)用環(huán)境�
3. 出色的熱�(wěn)定性和可靠�,適合在高功率密度場景中使用�
4. 緊湊的封裝設(shè)�,便于電路板布局和散熱管��
5. 具備�(yōu)異的短路耐受能力,增強了器件的安全��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持多種工業(yè)�(guī)��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級開關(guān)�
2. 電機�(qū)動和控制電路中的電子開關(guān)元件�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器及降�/升壓模塊�
4. LED �(qū)動器和照明系�(tǒng)中的功率管理組件�
5. 各種電池充電器和能量存儲�(shè)備中的保護電路�
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號隔離與功率傳輸�
IRFZ44N, AO3400A, FDP5800