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GA1206A3R9CBABT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/24 13:30:29 查看 閱讀�14

GA1206A3R9CBABT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用先進的半導(dǎo)體工藝制�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特點,適合用于電源管理、電機驅(qū)動以� DC-DC �(zhuǎn)換器等場��
  該芯片通過�(yōu)化柵極電荷和輸出電容參數(shù),顯著降低了開關(guān)損�,從而提升了整體系統(tǒng)效率。此�,其堅固的設(shè)計和出色的熱性能也使其能夠在�(yán)苛的工作�(huán)境下�(wěn)定運��

參數(shù)

型號:GA1206A3R9CBABT31G
  類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):120V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):6.4A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):35mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
  柵極電荷(Qg):17nC(典型值)
  輸入電容(Ciss):830pF(典型值)
  反向恢復(fù)時間(trr):30ns(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

1. 高效低導(dǎo)通電�,減少傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)性能,適用于高頻�(yīng)用環(huán)境�
  3. 出色的熱�(wěn)定性和可靠�,適合在高功率密度場景中使用�
  4. 緊湊的封裝設(shè)�,便于電路板布局和散熱管��
  5. 具備�(yōu)異的短路耐受能力,增強了器件的安全��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持多種工業(yè)�(guī)��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級開關(guān)�
  2. 電機�(qū)動和控制電路中的電子開關(guān)元件�
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器及降�/升壓模塊�
  4. LED �(qū)動器和照明系�(tǒng)中的功率管理組件�
  5. 各種電池充電器和能量存儲�(shè)備中的保護電路�
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號隔離與功率傳輸�

替代型號

IRFZ44N, AO3400A, FDP5800

ga1206a3r9cbabt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容3.9 pF
  • 容差±0.25pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-