GA1206A3R9CBCBR31G 是一款高性能的功� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),專為高效率、低損耗的�(yīng)用場景設(shè)計。該器件采用先進的制造工�,具有極低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)異的開關(guān)特�,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)��
該型號通常用于要求高效能與高可靠性的工業(yè)和消費類電子�(shè)備中,能夠顯著降低功耗并提升整體系統(tǒng)性能�
類型:N溝道增強� MOSFET
最大漏源電壓(Vds):120V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):6.8A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):35mΩ(典型�,Vgs=10V�
總柵極電荷(Qg):17nC
輸入電容(Ciss):1240pF
開關(guān)速度:快�
封裝形式:TO-252(DPAK)
GA1206A3R9CBCBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損耗,提高效率�
2. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷(Qg�,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. 高耐壓能力�120V),確保在寬電壓范圍�(nèi)的穩(wěn)定工��
4. 小型封裝(TO-252/DPAK�,節(jié)省PCB空間且易于安裝�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設(shè)計�
6. 可靠性高,能夠在惡劣�(huán)境下長時間運行�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)及適配��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流�
3. LED�(qū)動電路�
4. 消費類電子產(chǎn)品中的負載切��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)�
6. 工業(yè)控制中的電機�(qū)動及逆變��
由于其出色的電氣性能,該型號特別適合對效率和散熱有較高要求的場景�
IRFZ44N, FQP30N06L, STP12NF06