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GA1206A3R9CBCBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/20 12:31:57 查看 閱讀�18

GA1206A3R9CBCBR31G 是一款高性能的功� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),專為高效率、低損耗的�(yīng)用場景設(shè)計。該器件采用先進的制造工�,具有極低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)異的開關(guān)特�,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)��
  該型號通常用于要求高效能與高可靠性的工業(yè)和消費類電子�(shè)備中,能夠顯著降低功耗并提升整體系統(tǒng)性能�

參數(shù)

類型:N溝道增強� MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):120V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):6.8A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):35mΩ(典型�,Vgs=10V�
  總柵極電荷(Qg):17nC
  輸入電容(Ciss):1240pF
  開關(guān)速度:快�
  封裝形式:TO-252(DPAK)

特�

GA1206A3R9CBCBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損耗,提高效率�
  2. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷(Qg�,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. 高耐壓能力�120V),確保在寬電壓范圍�(nèi)的穩(wěn)定工��
  4. 小型封裝(TO-252/DPAK�,節(jié)省PCB空間且易于安裝�
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設(shè)計�
  6. 可靠性高,能夠在惡劣�(huán)境下長時間運行�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)及適配��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流�
  3. LED�(qū)動電路�
  4. 消費類電子產(chǎn)品中的負載切��
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)�
  6. 工業(yè)控制中的電機�(qū)動及逆變��
  由于其出色的電氣性能,該型號特別適合對效率和散熱有較高要求的場景�

替代型號

IRFZ44N, FQP30N06L, STP12NF06

ga1206a3r9cbcbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容3.9 pF
  • 容差±0.25pF
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-