GA1206A3R9DBCBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動和工業(yè)控制等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的溝槽式�(jié)�(gòu)�(shè)�,具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功��
這款芯片主要面向需要高效能量轉(zhuǎn)換和快速動�(tài)響應(yīng)的應(yīng)用場景,例如開關(guān)電源(SMPS�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電池管理系統(tǒng)等。通過�(yōu)化的封裝技�(shù)和內(nèi)部設(shè)�,它能夠在高電流和高頻工作條件下保持�(wěn)定性能�
型號:GA1206A3R9DBCBR31G
類型:N-Channel Power MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�3.5mΩ(典型值)
柵極電荷(Qg)�78nC
總開�(guān)損�(Etot)�14.5mJ
工作溫度范圍(Ta)�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247-3L
GA1206A3R9DBCBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效減少傳導(dǎo)損�,提升整體效��
2. 高速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)�,適用于�(xiàn)代高效的功率�(zhuǎn)換設(shè)��
3. �(qiáng)大的電流承載能力,確保在高負(fù)載情況下仍能維持�(wěn)定的性能�
4. 寬泛的工作溫度范�,使其適合各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用�
5. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)器件的可靠性與抗干擾能力�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
該芯片的主要�(yīng)用場景包括:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),用于筆記本電腦適配器、服�(wù)器電源等�(shè)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器,特別是在需要高效能量轉(zhuǎn)換的汽車電子系統(tǒng)��
3. 電機(jī)�(qū)動中的電�(jī)控制�
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS),用于電動汽車及儲能系統(tǒng)的電池保�(hù)與均��
5. 工業(yè)級逆變器和 UPS 系統(tǒng),提供可靠的功率輸出與保�(hù)功能�
GA1206A3R9DBC, IRF3710, FDP5570N