GA1206A3R9DXLBP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率、低損耗的開關(guān)�(yīng)用設(shè)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備較低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,適合于電源管理、電�(jī)�(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換等�(yīng)用場景。其封裝形式緊湊,能夠有效節(jié)� PCB 空間,同時支持高電流�(fù)載需��
型號:GA1206A3R9DXLBP31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�3.5mΩ
總功�(Ptot)�47W
工作溫度范圍�-55� to +175�
封裝形式:LFPAK8
存儲濕度敏感度等級:MSL1
GA1206A3R9DXLBP31G 具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),僅� 3.5mΩ,可顯著降低�(dǎo)通損��
2. 快速的開關(guān)速度,支持高頻應(yīng)�,提升整體系�(tǒng)效率�
3. 高可靠性設(shè)�,可在極端溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運� (-55� � +175�),適用于工業(yè)及汽車級�(yīng)用�
4. 小型化的 LFPAK8 封裝,具有出色的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定��
5. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增強器件在惡劣�(huán)境下的抗干擾能力�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)�,無鉛焊接兼容性良好�
這些特性使 GA1206A3R9DXLBP31G 成為高性能功率�(zhuǎn)換電路的理想選擇�
該芯片廣泛應(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
2. 電機(jī)�(qū)動電路中的橋式配置組��
3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和電池管理�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
5. LED �(qū)動器和光伏逆變器中的高效能量轉(zhuǎn)��
由于其卓越的性能和可靠�,GA1206A3R9DXLBP31G 在消費電�、工�(yè)控制以及汽車電子市場中均表現(xiàn)出色�
IRFZ44N
STP30NF06L
FDP15U20AE
IXFH30N06T
AO3400