GA1206A470FBEBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,屬于溝槽式 MOSFET 技術(shù),主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。該芯片具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)特性和高電流承載能力等特點(diǎn),適用于工業(yè)、汽車(chē)和消費(fèi)電子領(lǐng)域。
這款功率 MOSFET 采用先進(jìn)的制造工藝,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率。其封裝形式為 TO-263(DPAK),支持表面貼裝技術(shù)(SMT),便于自動(dòng)化生產(chǎn)和提高可靠性。
型號(hào):GA1206A470FBEBT31G
類(lèi)型:N 溝道 MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):47A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 時(shí))
柵極電荷(Qg):38nC(典型值)
反向恢復(fù)時(shí)間(trr):95ns(典型值)
工作結(jié)溫范圍:-55°C 至 +175°C
封裝形式:TO-263(DPAK)
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗,從而提升整體系統(tǒng)效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)特性,能夠有效降低開(kāi)關(guān)損耗,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 高電流承載能力,支持高達(dá) 47A 的連續(xù)漏極電流。
4. 寬工作溫度范圍(-55°C 至 +175°C),適應(yīng)各種惡劣的工作條件。
5. 先進(jìn)的封裝設(shè)計(jì),提供卓越的散熱性能,確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流電路。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,用于控制直流無(wú)刷電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)。
3. 工業(yè)逆變器及不間斷電源(UPS)系統(tǒng)。
4. DC-DC 轉(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和負(fù)載點(diǎn)供電。
5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換和保護(hù)功能。
6. 大功率 LED 驅(qū)動(dòng)電路,實(shí)現(xiàn)高效調(diào)光控制。
IRLZ44N
FDP15N60
AOT292L