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GA1206A470FBEBT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/21 11:42:58 查看 閱讀:4

GA1206A470FBEBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,屬于溝槽式 MOSFET 技術(shù),主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。該芯片具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)特性和高電流承載能力等特點(diǎn),適用于工業(yè)、汽車(chē)和消費(fèi)電子領(lǐng)域。
  這款功率 MOSFET 采用先進(jìn)的制造工藝,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率。其封裝形式為 TO-263(DPAK),支持表面貼裝技術(shù)(SMT),便于自動(dòng)化生產(chǎn)和提高可靠性。

參數(shù)

型號(hào):GA1206A470FBEBT31G
  類(lèi)型:N 溝道 MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):47A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 時(shí))
  柵極電荷(Qg):38nC(典型值)
  反向恢復(fù)時(shí)間(trr):95ns(典型值)
  工作結(jié)溫范圍:-55°C 至 +175°C
  封裝形式:TO-263(DPAK)

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗,從而提升整體系統(tǒng)效率。
  2. 快速開(kāi)關(guān)特性,能夠有效降低開(kāi)關(guān)損耗,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
  3. 高電流承載能力,支持高達(dá) 47A 的連續(xù)漏極電流。
  4. 寬工作溫度范圍(-55°C 至 +175°C),適應(yīng)各種惡劣的工作條件。
  5. 先進(jìn)的封裝設(shè)計(jì),提供卓越的散熱性能,確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流電路。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,用于控制直流無(wú)刷電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)。
  3. 工業(yè)逆變器及不間斷電源(UPS)系統(tǒng)。
  4. DC-DC 轉(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和負(fù)載點(diǎn)供電。
  5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換和保護(hù)功能。
  6. 大功率 LED 驅(qū)動(dòng)電路,實(shí)現(xiàn)高效調(diào)光控制。

替代型號(hào)

IRLZ44N
  FDP15N60
  AOT292L

ga1206a470fbebt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容47 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-