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GA1206A470JBABT31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/21 11:43:58 查看 閱讀:22

GA1206A470JBABT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應用于開關電源、電機驅(qū)動和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領域。該器件采用了先進的半導體制造工藝,具有低導通電阻和快速開關特性,從而提高了效率并降低了功耗。
  其設計優(yōu)化了熱性能,適合在高功率密度的應用場合中使用,同時具備良好的可靠性和穩(wěn)定性。

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  電壓等級:650V
  導通電阻:47mΩ
  最大漏極電流:18A
  柵極電荷:90nC
  反向恢復時間:35ns
  工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃

特性

GA1206A470JBABT31G 具有以下關鍵特性:
  1. 高電壓承受能力,能夠穩(wěn)定運行于高達650V的工作環(huán)境中。
  2. 極低的導通電阻(Rds(on)),可減少導通損耗,提升整體系統(tǒng)效率。
  3. 快速的開關速度,有效降低開關損耗。
  4. 良好的熱性能表現(xiàn),能夠在高功率應用場景下保持穩(wěn)定運行。
  5. 支持寬泛的工作溫度范圍,適應多種極端環(huán)境下的應用需求。
  6. 內(nèi)置ESD保護功能,增強芯片的魯棒性與可靠性。

應用

這款芯片廣泛適用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)設計中的功率開關元件。
  2. 工業(yè)級電機驅(qū)動電路,用于提高能效和控制精度。
  3. 各種DC-DC轉(zhuǎn)換器中的主功率器件。
  4. 太陽能逆變器以及其他新能源相關設備中的功率管理模塊。
  5. 電動工具、家用電器及汽車電子等領域的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。
  由于其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,該芯片特別適合對效率和散熱要求較高的應用場合。

替代型號

GA1206A470KBABT31G, IRFP460, STW12NM65

ga1206a470jbabt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容47 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-