GA1206A471JBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動以及開�(guān)電源等領(lǐng)�。該芯片采用了先進的半導(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高耐壓能力的特點,能夠在高頻工作條件下保持高效和穩(wěn)��
此器件屬� N 溝道增強� MOSFET,其封裝形式� TO-252(DPAK�,能夠有效散熱并支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,便于自動化生產(chǎn)和集成設(shè)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�47A
�(dǎo)通電阻:3.1mΩ
柵極電荷�28nC
開關(guān)速度:超高�
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-252(DPAK�
GA1206A471JBABR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(3.1mΩ�,可顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高額定電流(47A),適合大功率應(yīng)用場��
3. 快速開�(guān)性能,適用于高頻開關(guān)電路�
4. 具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,適�(yīng)惡劣的工作環(huán)��
5. 小型化封裝(TO-252/DPAK�,方� PCB 布局和焊��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設(shè)��
該芯片適用于以下�(yīng)用場景:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率開�(guān)元件�
3. 電機�(qū)動電路中的功率輸出級�
4. 工業(yè)�(shè)備及消費類電子產(chǎn)品中的負載切換控��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護開�(guān)�
6. 各種需要高效功率傳�?shù)碾娮酉到y(tǒng)�
IRFZ44N
FDP5570
AON6802