GA1206A471JBABT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)動、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并降低功耗�
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,其封裝形式� TO-252(DPAK�,適用于表面貼裝技�(shù)(SMT�。由于其出色的電氣性能和可靠�,它廣泛�(yīng)用于消費電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備等�(lǐng)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�47A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�45nC
開關(guān)時間:t_on=10ns, t_off=25ns
工作溫度范圍�-55� to +175�
GA1206A471JBABT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少導(dǎo)通損�,從而提高整體系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,可實現(xiàn)高頻操作,適合現(xiàn)代高頻開�(guān)�(yīng)用的需求�
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒性�
4. 具備較低的柵極電�,降低了�(qū)動功�,簡化了�(qū)動電路設(shè)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
6. 采用 DPAK 封裝,具備良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性�
該芯片適用于以下典型�(yīng)用場景:
1. 開關(guān)電源中的主開�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)動中的橋臂開�(guān)元件�
4. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)或保�(hù)開關(guān)�
5. 各類高效率功率轉(zhuǎn)換模塊,例如 LED �(qū)動器和光伏逆變器等�
由于其高電流能力和快速開�(guān)特�,它特別適合需要大功率輸出和高頻率工作的場��
GA1206A471JBAT31G
IRFZ44N
FDP5800
STP40NF06L