GA1206A471JBBBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等電力電子領(lǐng)域。該器件采用先進的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和可靠性。
該型號屬于增強型N溝道MOSFET,適用于需要高效能和低功耗的設(shè)計場景。其卓越的電氣特性和封裝設(shè)計使其成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備的理想選擇。
類型:N溝道 MOSFET
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.7 mΩ(典型值,Vgs=10V時)
擊穿電壓(BVDSS):60 V
連續(xù)漏極電流(Id):120 A
柵極電荷(Qg):75 nC
開關(guān)速度:快速
封裝形式:TO-247-3
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
GA1206A471JBBBT31G具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高擊穿電壓確保在各種嚴苛的工作條件下保持穩(wěn)定運行。
3. 大電流處理能力使其適合于高功率應(yīng)用。
4. 快速開關(guān)速度有助于減少開關(guān)損耗,提升整體性能。
5. 出色的熱穩(wěn)定性使得器件能夠在高溫環(huán)境下可靠工作。
6. 封裝設(shè)計便于散熱管理,簡化了系統(tǒng)設(shè)計過程。
這款功率MOSFET適用于多種應(yīng)用場景,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元件。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率開關(guān)。
3. 電機驅(qū)動電路中的功率級控制。
4. 負載切換和保護電路。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊。
6. 電動車及可再生能源系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換組件。
GA1206A470KBBBT31G, IRF7834, FDP17N60C