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GA1206A471JXABT31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 4:27:26 查看 閱讀�13

GA1206A471JXABT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、低損耗的應用場景設計。該器件采用先進的半導體制造工藝,具有極低的導通電阻和�(yōu)異的開關性能,適合在高頻開關電源、DC-DC轉換�、電機驅動以及負載開關等應用中使��
  其封裝形式和引腳布局�(jīng)過優(yōu)化,能夠提供卓越的熱性能和電氣性能,同時支持表面貼裝技術(SMT�,便于自動化生產(chǎn)和高效組��

參數(shù)

類型:功率MOSFET
  工作電壓�60V
  導通電阻:4.7mΩ
  最大電流:50A
  封裝:TO-252
  柵極電荷�18nC
  反向恢復時間:無(由于是MOSFET�
  工作溫度范圍�-55� � 150�

特�

GA1206A471JXABT31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有效降低傳導損耗,提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速的開關速度,減少開關損�,適用于高頻應用�
  3. 高浪涌電流能�,確保在異常條件下依然可靠運行�
  4. �(yōu)秀的熱性能設計,可承受較高的結溫�
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保且適合長期使用�
  6. 封裝形式兼容主流SMT設備,簡化生�(chǎn)流程�
  這些特性使該器件成為需要高效率和高可靠性的電力電子系統(tǒng)的理想選��

應用

GA1206A471JXABT31G 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的主功率開關或同步整流開關�
  2. DC-DC轉換器中的功率級元件�
  3. 電機驅動電路中的開關器件�
  4. 負載開關和保護電路中的關鍵組��
  5. 工業(yè)控制和消費類電子�(chǎn)品中的功率管理模塊�
  由于其出色的電氣性能和熱�(wěn)定�,該器件能夠在各種復雜的工作�(huán)境中保持�(wěn)定表�(xiàn)�

替代型號

IRF540N, AO3400A, FDP5510

ga1206a471jxabt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容470 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-