GA1206A471JXABT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、低損耗的應用場景設計。該器件采用先進的半導體制造工藝,具有極低的導通電阻和�(yōu)異的開關性能,適合在高頻開關電源、DC-DC轉換�、電機驅動以及負載開關等應用中使��
其封裝形式和引腳布局�(jīng)過優(yōu)化,能夠提供卓越的熱性能和電氣性能,同時支持表面貼裝技術(SMT�,便于自動化生產(chǎn)和高效組��
類型:功率MOSFET
工作電壓�60V
導通電阻:4.7mΩ
最大電流:50A
封裝:TO-252
柵極電荷�18nC
反向恢復時間:無(由于是MOSFET�
工作溫度范圍�-55� � 150�
GA1206A471JXABT31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有效降低傳導損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關速度,減少開關損�,適用于高頻應用�
3. 高浪涌電流能�,確保在異常條件下依然可靠運行�
4. �(yōu)秀的熱性能設計,可承受較高的結溫�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且適合長期使用�
6. 封裝形式兼容主流SMT設備,簡化生�(chǎn)流程�
這些特性使該器件成為需要高效率和高可靠性的電力電子系統(tǒng)的理想選��
GA1206A471JXABT31G 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的主功率開關或同步整流開關�
2. DC-DC轉換器中的功率級元件�
3. 電機驅動電路中的開關器件�
4. 負載開關和保護電路中的關鍵組��
5. 工業(yè)控制和消費類電子�(chǎn)品中的功率管理模塊�
由于其出色的電氣性能和熱�(wěn)定�,該器件能夠在各種復雜的工作�(huán)境中保持�(wěn)定表�(xiàn)�
IRF540N, AO3400A, FDP5510