GA1206A472GXBBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、逆變器等�(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),從而提高了系統(tǒng)的效率和可靠��
其封裝形式和電氣性能�(jīng)過優(yōu)化設(shè)�(jì),能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和小型化的需求�
型號:GA1206A472GXBBR31G
類型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源極電壓):120V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�47mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):65A
Qg(柵極電荷)�68nC
FOM(品�(zhì)因數(shù)):5.64
Vgs(th)(閾值電壓)�3.5V
Tj(工作結(jié)溫范圍)�-55� to +175�
GA1206A472GXBBR31G具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少�(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
3. 良好的熱性能表現(xiàn),確保在高功率密度條件下�(wěn)定運(yùn)行�
4. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)器件在異常條件下的耐用��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
6. 封裝緊湊,便于集成到各種空間受限的設(shè)�(jì)��
這些特點(diǎn)使得該MOSFET非常適合用于需要高效率和高可靠性的�(yīng)用場��
該芯片適用于多種工業(yè)和消�(fèi)類電子領(lǐng)域,包括但不限于以下方面�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級�
2. 各種類型的電�(jī)�(qū)動器,例如步�(jìn)電機(jī)、直流無刷電�(jī)��
3. 光伏逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
4. 電動車和混合動力車中的電力管理系�(tǒng)�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換控��
通過利用其低�(dǎo)通電阻和高耐壓特�,GA1206A472GXBBR31G能夠在上述應(yīng)用中�(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和精確的電流控��
GA1206A472GXBBR31H, IRFZ44N, FDP5500