GA1206A561GBEBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高�(kāi)�(guān)速度以及良好的熱性能等優(yōu)�(diǎn)。其�(shè)�(jì)旨在提高效率并減少系�(tǒng)損�,適用于需要高功率密度和高效能�(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
該型�(hào)屬于增強(qiáng)� N 溝道 MOSFET,能夠承受較高的漏源電壓,并且具備優(yōu)異的電流承載能力,從而使其在工業(yè)控制、汽�(chē)電子和消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中得到廣泛�(yīng)用�
漏源電壓(Vds):120V
連續(xù)漏極電流(Id):6.8A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):56mΩ
柵極電荷(Qg):14nC
輸入電容(Ciss):1250pF
輸出電容(Coss):390pF
反向恢復(fù)�(shí)間(trr):75ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � 175�
1. 極低的導(dǎo)通電�,有效降低傳�(dǎo)損耗�
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,支持高頻應(yīng)��
3. �(qiáng)大的雪崩能力,提高了器件的魯棒��
4. 小巧的封裝尺�,便� PCB 布局和散熱設(shè)�(jì)�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
6. 支持表面貼裝技�(shù)(SMD�,簡(jiǎn)化了自動(dòng)化生�(chǎn)流程�
7. 在寬溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定的電氣性能,適用于惡劣�(huán)��
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
2. 各類(lèi) DC-DC �(zhuǎn)換器的核心元��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的逆變橋臂�(kāi)�(guān)�
4. 電池保護(hù)和管理系�(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)�
5. LED �(qū)�(dòng)電路中的電流�(diào)節(jié)器件�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
7. 汽車(chē)電子系統(tǒng)的電源管理部��
IRFZ44N
FDP5800
AON6810
STP120NF06L