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GA1206A561JBABR31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/24 13:28:30 查看 閱讀:16

GA1206A561JBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的溝道技術(shù)制造,具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并降低功耗。
  其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝類型,適合自動化生產(chǎn)流程,并且具有良好的熱性能和電氣性能。

參數(shù)

型號:GA1206A561JBABR31G
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):12A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
  總功耗(Ptot):25W
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
  封裝:TO-252(DPAK)

特性

該功率MOSFET具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 快速開關(guān)性能,可有效降低開關(guān)損耗。
  3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒性。
  4. 提供優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,適用于高溫環(huán)境下的應(yīng)用。
  5. 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),無鉛設(shè)計。
  6. 支持高頻率操作,非常適合高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器和其他高速開關(guān)電路。
  7. 良好的靜電放電(ESD)防護(hù)能力,提高了產(chǎn)品的可靠性。

應(yīng)用

GA1206A561JBABR31G廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
  4. 電機(jī)驅(qū)動與控制
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)
  6. 消費類電子產(chǎn)品的電源管理模塊
  7. 通信設(shè)備中的高效能電源解決方案

替代型號

IRFZ44N
  STP12NF06
  FQP12N60C

ga1206a561jbabr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容560 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-