GA1206A561JBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的溝道技術(shù)制造,具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并降低功耗。
其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝類型,適合自動化生產(chǎn)流程,并且具有良好的熱性能和電氣性能。
型號:GA1206A561JBABR31G
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):12A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
總功耗(Ptot):25W
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
封裝:TO-252(DPAK)
該功率MOSFET具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)性能,可有效降低開關(guān)損耗。
3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒性。
4. 提供優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,適用于高溫環(huán)境下的應(yīng)用。
5. 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),無鉛設(shè)計。
6. 支持高頻率操作,非常適合高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器和其他高速開關(guān)電路。
7. 良好的靜電放電(ESD)防護(hù)能力,提高了產(chǎn)品的可靠性。
GA1206A561JBABR31G廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
4. 電機(jī)驅(qū)動與控制
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)
6. 消費類電子產(chǎn)品的電源管理模塊
7. 通信設(shè)備中的高效能電源解決方案
IRFZ44N
STP12NF06
FQP12N60C