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GA1206A562JXBBT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/22 20:59:06 查看 閱讀�18

GA1206A562JXBBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬� GaN(氮化鎵)基器件系列。該芯片采用先�(jìn)的氮化鎵技�(shù)制�,具有高開關(guān)速度、低�(dǎo)通電阻和高效率等特�。其�(shè)計適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及各類高效能電力電子應(yīng)用中。此型號特別針對需要高功率密度和快速動�(tài)響應(yīng)的應(yīng)用場景而優(yōu)化�
  與傳�(tǒng)硅基 MOSFET 相比,GA1206A562JXBBT31G 提供了更低的寄生電感和更高的工作頻率,從而能夠顯著降低開�(guān)損耗并提升整體系統(tǒng)效率。此�,該芯片具備出色的熱性能表現(xiàn),可支持長時間穩(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

類型:增�(qiáng)型MOSFET
  材料:GaN(氮化鎵�
  最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�20A
  �(dǎo)通電阻:40mΩ
  柵極�(qū)動電壓:6V/10V
  開關(guān)頻率:高�(dá)5MHz
  封裝形式:TO-247
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

1. 高效的氮化鎵技�(shù)提供卓越的開�(guān)性能和導(dǎo)通效率�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損��
  3. 支持高頻操作,適合高頻開�(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  4. �(yōu)秀的熱管理能力確保長期可靠��
  5. 具備較高的抗靜電能力和穩(wěn)定�,適用于惡劣�(huán)��
  6. �(nèi)置保�(hù)功能,如過流保護(hù)和短路保�(hù),提高了系統(tǒng)安全性�
  7. 小巧的封裝設(shè)計有助于提高功率密度,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品小型化需求�

�(yīng)�

1. 高頻開關(guān)電源�(shè)計中的主開關(guān)元件�
  2. 工業(yè)� DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率器��
  3. 電動汽車充電樁中的功率模��
  4. 太陽能逆變器中的高頻開�(guān)組件�
  5. 通信電源和服�(wù)器電源中的高效功率轉(zhuǎn)換解決方��
  6. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快速充電適配器�
  7. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制單��

替代型號

GA1206A562JXBCT31G, GA1206A562JXBBT21G

ga1206a562jxbbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容5600 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-