GA1206A562JXBBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬� GaN(氮化鎵)基器件系列。該芯片采用先�(jìn)的氮化鎵技�(shù)制�,具有高開關(guān)速度、低�(dǎo)通電阻和高效率等特�。其�(shè)計適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及各類高效能電力電子應(yīng)用中。此型號特別針對需要高功率密度和快速動�(tài)響應(yīng)的應(yīng)用場景而優(yōu)化�
與傳�(tǒng)硅基 MOSFET 相比,GA1206A562JXBBT31G 提供了更低的寄生電感和更高的工作頻率,從而能夠顯著降低開�(guān)損耗并提升整體系統(tǒng)效率。此�,該芯片具備出色的熱性能表現(xiàn),可支持長時間穩(wěn)定運(yùn)��
類型:增�(qiáng)型MOSFET
材料:GaN(氮化鎵�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�20A
�(dǎo)通電阻:40mΩ
柵極�(qū)動電壓:6V/10V
開關(guān)頻率:高�(dá)5MHz
封裝形式:TO-247
工作溫度范圍�-55℃至+150�
1. 高效的氮化鎵技�(shù)提供卓越的開�(guān)性能和導(dǎo)通效率�
2. 極低的導(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損��
3. 支持高頻操作,適合高頻開�(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器�
4. �(yōu)秀的熱管理能力確保長期可靠��
5. 具備較高的抗靜電能力和穩(wěn)定�,適用于惡劣�(huán)��
6. �(nèi)置保�(hù)功能,如過流保護(hù)和短路保�(hù),提高了系統(tǒng)安全性�
7. 小巧的封裝設(shè)計有助于提高功率密度,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品小型化需求�
1. 高頻開關(guān)電源�(shè)計中的主開關(guān)元件�
2. 工業(yè)� DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率器��
3. 電動汽車充電樁中的功率模��
4. 太陽能逆變器中的高頻開�(guān)組件�
5. 通信電源和服�(wù)器電源中的高效功率轉(zhuǎn)換解決方��
6. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快速充電適配器�
7. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制單��
GA1206A562JXBCT31G, GA1206A562JXBBT21G