GA1206A5R6BXLBP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率、低損耗的�(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用了先�(jìn)的制造工藝,能夠提供出色的導(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)性能,適用于各種電源管理�(chǎng)景�
這款功率 MOSF�、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用中。其封裝形式和電氣特性使其成為許多工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇�
類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
漏源極電�(Vds)�120V
連續(xù)漏極電流(Id)�6.8A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.38Ω(典型��25℃)
柵極閾值電�(Vgs(th))�2.4V
最大功�(Ptot)�16W
�(jié)溫范�(Tj)�-55� � +175�
封裝形式:TO-277A
GA1206A5R6BXLBP31G 的主要特�(diǎn)是其卓越的電氣性能和可靠�。以下是該芯片的一些關(guān)鍵特性:
1. 低導(dǎo)通電阻:該器件具有較低的 Rds(on),可有效降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力:由于其�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),該芯片能夠?qū)崿F(xiàn)快速的�(kāi)�(guān)操作,適合高頻應(yīng)用�
3. �(qiáng)大的散熱性能:采� TO-277A 封裝,具有良好的熱傳�(dǎo)�,有助于提高�(zhǎng)期運(yùn)行的�(wěn)定性�
4. 寬工作溫度范圍:支持� -55� � +175� 的結(jié)溫范�,適�(yīng)多種惡劣�(huán)境下的應(yīng)��
5. �(wěn)定的電氣特性:即使在極端條件下,該芯片也能保持�(wěn)定的性能輸出�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng),如步�(jìn)電機(jī)和無(wú)刷直流電�(jī)控制�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS) 中的充放電控��
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理單元�
6. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)的功率轉(zhuǎn)換設(shè)��
GA1206A5R6BXLBP29G
IRFZ44N
FQP50N06L