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GA1206A5R6CBBBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 21:01:53 查看 閱讀�19

GA1206A5R6CBBBR31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要用于開�(guān)和放大應(yīng)用。該型號(hào)屬于溝道� MOSFET,具有低�(dǎo)通電�、高效率和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適合應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器等�(lǐng)��
  其封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)� TO-247 � DPAK 封裝(具體以廠商提供為準(zhǔn)�,能夠承受較高的電流和電�,同�(shí)具備出色的散熱性能�

參數(shù)

類型:MOSFET
  極性:N-Channel
  漏源極耐壓(Vds)�120V
  連續(xù)漏極電流(Id)�65A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�5.6mΩ
  柵極電荷(Qg)�80nC
  功�(Ptot)�210W
  工作溫度范圍�-55� to 175�

特�

GA1206A5R6CBBBR31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可以有效減少功率損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高額定電流和電壓能力,使其適用于高壓和大電流�(chǎng)��
  3. 快速的開關(guān)速度和低柵極電荷,有助于降低開關(guān)損��
  4. �(qiáng)大的散熱�(shè)�(jì),確保在高溫�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠性高�
  6. 提供卓越� ESD 和雪崩保�(hù)功能,增�(qiáng)器件的耐用性�

�(yīng)�

該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開�(guān)元件�
  2. 工業(yè)電機(jī)控制及驅(qū)�(dòng)中的功率�(jí)組件�
  3. 太陽能逆變器和不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)�
  4. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器�
  5. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)�
  6. 各類需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景�

替代型號(hào)

GA1206A5R6CBBBR30G
  IRFP260N
  FDP17N12Z

ga1206a5r6cbbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容5.6 pF
  • 容差±0.25pF
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-