GA1206A680FBLBT31G 是一款高性能� GaN(氮化鎵)功率晶體管,基于增�(qiáng)型高電子遷移率晶體管(HEMT)技�(shù)�(shè)�(jì)。該芯片主要�(yīng)用于高頻、高效能的電源管理場�,例如開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)動等。其�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)�(yōu)化了開關(guān)速度和導(dǎo)通電�,從而顯著提高了系統(tǒng)效率并減少了能量損��
這款 GaN 晶體管采用了行業(yè)�(lǐng)先的封裝技�(shù),能夠有效降低寄生電感和熱阻,同�(shí)支持表面貼裝工藝(SMD),便于自動化生�(chǎn)和高密度電路板布局�
型號:GA1206A680FBLBT31G
類型:增�(qiáng)� GaN HEMT
工作電壓�650V
連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻:68mΩ(典型值)
柵極電荷�30nC(最大值)
輸入電容�1400pF(典型值)
反向恢復(fù)�(shí)間:無(由于是常閉型器件�
封裝形式:LFPAK56E
GA1206A680FBLBT31G 的主要特性包括:
1. 高效的功率傳輸能�,適用于高頻�(yīng)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,減少了傳導(dǎo)損�,提升了整體效率�
3. 快速的開關(guān)性能,支持高�(dá)2MHz的工作頻�,滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對高速開�(guān)的需求�
4. �(nèi)置保�(hù)功能,如過溫保護(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠��
5. 小型化的封裝�(shè)�(jì),降低了寄生效應(yīng),非常適合空間受限的�(yīng)用環(huán)��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開�(guān)��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,尤其是需要高效率和高頻工作的場景�
3. 太陽能微型逆變器及儲能系統(tǒng)�
4. 電動汽車充電器和車載電源模塊�
5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)動和伺服控制�
6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快充適配器和無線充電裝置�
GS66508T,
GAN063-650DS8,
GTM65R068D