時(shí)間：2025/5/21 11:16:14
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GA1206A680FBLBT31G 是一款高性能的 GaN（氮化鎵）功率晶體管，基于增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管（HEMT）技術(shù)設(shè)計(jì)。該芯片主要應(yīng)用于高頻、高效能的電源管理場景，例如開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動等。其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化了開關(guān)速度和導(dǎo)通電阻，從而顯著提高了系統(tǒng)效率并減少了能量損耗。
這款 GaN 晶體管采用了行業(yè)領(lǐng)先的封裝技術(shù)，能夠有效降低寄生電感和熱阻，同時(shí)支持表面貼裝工藝（SMD），便于自動化生產(chǎn)和高密度電路板布局。
型號：GA1206A680FBLBT31G
類型：增強(qiáng)型 GaN HEMT
工作電壓：650V
連續(xù)漏極電流：8A
導(dǎo)通電阻：68mΩ（典型值）
柵極電荷：30nC（最大值）
輸入電容：1400pF（典型值）
反向恢復(fù)時(shí)間：無（由于是常閉型器件）
封裝形式：LFPAK56E
GA1206A680FBLBT31G 的主要特性包括：
1. 高效的功率傳輸能力，適用于高頻應(yīng)用。
2. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），減少了傳導(dǎo)損耗，提升了整體效率。
3. 快速的開關(guān)性能，支持高達(dá)2MHz的工作頻率，滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對高速開關(guān)的需求。
4. 內(nèi)置保護(hù)功能，如過溫保護(hù)和短路保護(hù)，增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性。
5. 小型化的封裝設(shè)計(jì)，降低了寄生效應(yīng)，非常適合空間受限的應(yīng)用環(huán)境。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流和主開關(guān)管。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器，尤其是需要高效率和高頻工作的場景。
3. 太陽能微型逆變器及儲能系統(tǒng)。
4. 電動汽車充電器和車載電源模塊。
5. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動和伺服控制。
6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快充適配器和無線充電裝置。
GS66508T,
GAN063-650DS8,
GTM65R068D
