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GA1206A680FBLBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/21 11:16:14 查看 閱讀�18

GA1206A680FBLBT31G 是一款高性能� GaN(氮化鎵)功率晶體管,基于增�(qiáng)型高電子遷移率晶體管(HEMT)技�(shù)�(shè)�(jì)。該芯片主要�(yīng)用于高頻、高效能的電源管理場�,例如開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)動等。其�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)�(yōu)化了開關(guān)速度和導(dǎo)通電�,從而顯著提高了系統(tǒng)效率并減少了能量損��
  這款 GaN 晶體管采用了行業(yè)�(lǐng)先的封裝技�(shù),能夠有效降低寄生電感和熱阻,同�(shí)支持表面貼裝工藝(SMD),便于自動化生�(chǎn)和高密度電路板布局�

參數(shù)

型號:GA1206A680FBLBT31G
  類型:增�(qiáng)� GaN HEMT
  工作電壓�650V
  連續(xù)漏極電流�8A
  �(dǎo)通電阻:68mΩ(典型值)
  柵極電荷�30nC(最大值)
  輸入電容�1400pF(典型值)
  反向恢復(fù)�(shí)間:無(由于是常閉型器件�
  封裝形式:LFPAK56E

特�

GA1206A680FBLBT31G 的主要特性包括:
  1. 高效的功率傳輸能�,適用于高頻�(yīng)��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,減少了傳導(dǎo)損�,提升了整體效率�
  3. 快速的開關(guān)性能,支持高�(dá)2MHz的工作頻�,滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對高速開�(guān)的需求�
  4. �(nèi)置保�(hù)功能,如過溫保護(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠��
  5. 小型化的封裝�(shè)�(jì),降低了寄生效應(yīng),非常適合空間受限的�(yīng)用環(huán)��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開�(guān)��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,尤其是需要高效率和高頻工作的場景�
  3. 太陽能微型逆變器及儲能系統(tǒng)�
  4. 電動汽車充電器和車載電源模塊�
  5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)動和伺服控制�
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快充適配器和無線充電裝置�

替代型號

GS66508T,
  GAN063-650DS8,
  GTM65R068D

ga1206a680fblbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容68 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-