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GA1206A680GBEBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 12:32:09 查看 閱讀�17

GA1206A680GBEBR31G 是一款高性能的工�(yè)級存儲芯�,屬� NAND Flash 存儲器系�。該型號采用 MLC(多層單元)技�(shù),支持大容量�(shù)�(jù)存儲,適用于需要高可靠性和長使用壽命的�(yīng)用場��
  該芯片主要針對嵌入式系統(tǒng)、工�(yè)控制�(shè)備和企業(yè)級存儲解決方案設(shè)�(jì),具有較高的擦寫壽命和數(shù)�(jù)保持能力。其封裝形式� BGA(球柵陣列封裝),能夠提供良好的電氣性能和散熱特��

參數(shù)

容量�128GB
  接口類型:PCIe NVMe
  工作電壓�2.7V � 3.6V
  �(shù)�(jù)傳輸速率:高�(dá) 550MB/s
  擦寫壽命�3000 �
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式:BGA
  引腳�(shù)�169

特�

GA1206A680GBEBR31G 的主要特性包括:
  1. 高速數(shù)�(jù)傳輸:通過 PCIe NVMe 接口�(shí)�(xiàn)快速讀寫操作,滿足�(shí)�(shí)�(yīng)用需��
  2. 大容量存儲:128GB 的存儲空間適合多種復(fù)雜應(yīng)用場��
  3. 耐用性:MLC 技�(shù)提供了更長的擦寫壽命,特別適合頻繁寫入數(shù)�(jù)的環(huán)��
  4. 寬溫�(shè)�(jì):能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運(yùn)行,適用于工�(yè)和戶外環(huán)��
  5. �(shù)�(jù)保護(hù)�(jī)制:�(nèi)� ECC(錯(cuò)誤檢查與糾正)功能,確保�(shù)�(jù)完整��
  6. 低功耗設(shè)�(jì):優(yōu)化的電源管理方案有效降低能�,延長設(shè)備續(xù)航時(shí)��

�(yīng)�

這款芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)�(jì)算機(jī):作為主存儲�(shè)備或緩存存儲�,提升系�(tǒng)性能�
  2. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備:如路由器和交換機(jī)中,用于存儲固件和配置數(shù)�(jù)�
  3. 嵌入式系�(tǒng):在�(yī)療設(shè)�、安防監(jiān)控等對可靠性要求高的環(huán)境中�
  4. 物聯(lián)�(wǎng)終端:支持智能終端的�(shù)�(jù)存儲需�,例如智能家居控制器�
  5. 企業(yè)級存儲:用于服務(wù)器和�(shù)�(jù)中心中的固態(tài)硬盤模塊,提供高效能存儲解決方案�

替代型號

GA1206A640GBEBR31G, GA1206A256GBEBR31G

ga1206a680gbebr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容68 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-