GA1206A680JBEBT31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,廣泛應用于電源管理、電機驅動和開關電路等領�。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱性能,非常適合用于需要高效能和高可靠性的電子設備��
此型號是專為工業(yè)和消費類應用設計的增強型 N 溝道 MOSFET,其封裝形式� TO-252(DPAK�,能夠有效降低系�(tǒng)的整體功��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�40A
導通電阻:3.8mΩ
柵極電荷�45nC
總電容:1450pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1206A680JBEBT31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)) 可以顯著減少功率損��
2. 高速開關能力使得其適合高頻應用�
3. 良好的熱�(wěn)定性確保在極端溫度條件下仍能保持穩(wěn)定性能�
4. 高雪崩能量能力增強了器件的耐用性和可靠��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛設計�
6. 小巧的封裝尺寸便于在緊湊型設計中使用�
這款 MOSFET 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換��
2. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控��
3. 工業(yè)自動化中的電機驅動和負載切換�
4. 汽車電子中的繼電器替代和燈控��
5. 家用電器和消費類電子產品中的功率管理模塊�
GA1206A680JBE, IRFZ44N, FDP5570N