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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > GA1206A680JBEBT31G

GA1206A680JBEBT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 19:10:28 查看 閱讀�22

GA1206A680JBEBT31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,廣泛應用于電源管理、電機驅動和開關電路等領�。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱性能,非常適合用于需要高效能和高可靠性的電子設備��
  此型號是專為工業(yè)和消費類應用設計的增強型 N 溝道 MOSFET,其封裝形式� TO-252(DPAK�,能夠有效降低系�(tǒng)的整體功��

參數

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�40A
  導通電阻:3.8mΩ
  柵極電荷�45nC
  總電容:1450pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA1206A680JBEBT31G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導通電� (Rds(on)) 可以顯著減少功率損��
  2. 高速開關能力使得其適合高頻應用�
  3. 良好的熱�(wěn)定性確保在極端溫度條件下仍能保持穩(wěn)定性能�
  4. 高雪崩能量能力增強了器件的耐用性和可靠��
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛設計�
  6. 小巧的封裝尺寸便于在緊湊型設計中使用�

應用

這款 MOSFET 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換��
  2. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控��
  3. 工業(yè)自動化中的電機驅動和負載切換�
  4. 汽車電子中的繼電器替代和燈控��
  5. 家用電器和消費類電子產品中的功率管理模塊�

替代型號

GA1206A680JBE, IRFZ44N, FDP5570N

ga1206a680jbebt31g參數

  • 現有數量0現貨
  • 價格停產
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)停產
  • 電容68 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-