GA1206A681FXABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的溝槽式 MOSFET 技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。
這款芯片能夠在高頻條件下提供高效的功率轉(zhuǎn)換,并且具備出色的 ESD 防護(hù)能力。其封裝形式為 LFPAK56(PowerSO8),支持表面貼裝技術(shù)(SMD),適合自動(dòng)化生產(chǎn)和緊湊型設(shè)計(jì)。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:48A
導(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷:45nC
輸入電容:2900pF
工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。
2. 快速的開(kāi)關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用。
3. 小尺寸封裝,節(jié)省 PCB 空間。
4. 內(nèi)置 EMI 濾波功能,降低電磁干擾。
5. 高雪崩能量耐受能力,增強(qiáng)系統(tǒng)的可靠性。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材料。
1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器及 POL 轉(zhuǎn)換模塊。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器。
4. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。
5. 工業(yè)控制設(shè)備中的功率管理單元。
6. 筆記本電腦適配器和其他消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換方案。
GA1206A681FXABR28G, GA1206A681FXABR35G