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GA1206A681JXEBT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/28 10:06:40 查看 閱讀:12

GA1206A681JXEBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先進(jìn)的制造工藝以確保其在高電壓和大電流應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠性。該芯片主要用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。它具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率。

參數(shù)

類型:MOSFET
  極性:N-Channel
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):80A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ
  總柵極電荷(Qg):90nC
  輸入電容(Ciss):4070pF
  輸出電容(Coss):115pF
  反向傳輸電容(Crss):38pF
  結(jié)溫范圍(Tj):-55℃ to 175℃

特性

GA1206A681JXEBT31G 具有以下關(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可顯著降低導(dǎo)通損耗。
  2. 快速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用。
  3. 高電流承載能力,支持高達(dá)80A的連續(xù)漏極電流。
  4. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,能夠在極端溫度條件下正常工作。
  5. 內(nèi)置靜電保護(hù)功能,增強(qiáng)器件的抗干擾能力。
  6. 小型封裝設(shè)計(jì),有助于節(jié)省電路板空間。
  7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
  這些特性使其成為許多高功率密度應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

GA1206A681JXEBT31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
  3. 逆變器
  4. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
  5. 太陽能微逆變器
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
  7. 電動(dòng)工具
  8. 汽車電子系統(tǒng)
  由于其出色的電氣性能和可靠性,這款芯片適用于需要高效功率管理的各種工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品。

替代型號(hào)

GA1206A681JXEBT30G, IRF840, FDP8880

ga1206a681jxebt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容680 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-