GA1206A681JXEBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先進(jìn)的制造工藝以確保其在高電壓和大電流應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠性。該芯片主要用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。它具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
類型:MOSFET
極性:N-Channel
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):80A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ
總柵極電荷(Qg):90nC
輸入電容(Ciss):4070pF
輸出電容(Coss):115pF
反向傳輸電容(Crss):38pF
結(jié)溫范圍(Tj):-55℃ to 175℃
GA1206A681JXEBT31G 具有以下關(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可顯著降低導(dǎo)通損耗。
2. 快速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用。
3. 高電流承載能力,支持高達(dá)80A的連續(xù)漏極電流。
4. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,能夠在極端溫度條件下正常工作。
5. 內(nèi)置靜電保護(hù)功能,增強(qiáng)器件的抗干擾能力。
6. 小型封裝設(shè)計(jì),有助于節(jié)省電路板空間。
7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
這些特性使其成為許多高功率密度應(yīng)用的理想選擇。
GA1206A681JXEBT31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
3. 逆變器
4. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
5. 太陽能微逆變器
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
7. 電動(dòng)工具
8. 汽車電子系統(tǒng)
由于其出色的電氣性能和可靠性,這款芯片適用于需要高效功率管理的各種工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品。
GA1206A681JXEBT30G, IRF840, FDP8880