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GA1206A681JXEBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 10:06:40 查看 閱讀�12

GA1206A681JXEBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的制造工藝以確保其在高電壓和大電流應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠�。該芯片主要用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)�。它具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率�

參數(shù)

類型:MOSFET
  極性:N-Channel
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�80A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ
  總柵極電�(Qg)�90nC
  輸入電容(Ciss)�4070pF
  輸出電容(Coss)�115pF
  反向傳輸電容(Crss)�38pF
  �(jié)溫范�(Tj)�-55� to 175�

特�

GA1206A681JXEBT31G 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可顯著降低導(dǎo)通損��
  2. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用�
  3. 高電流承載能�,支持高�(dá)80A的連續(xù)漏極電流�
  4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下正常工��
  5. �(nèi)置靜電保�(hù)功能,增�(qiáng)器件的抗干擾能力�
  6. 小型封裝�(shè)�(jì),有助于節(jié)省電路板空間�
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
  這些特性使其成為許多高功率密度�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

GA1206A681JXEBT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  3. 逆變�
  4. DC-DC �(zhuǎn)換器
  5. 太陽能微逆變�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  7. 電動(dòng)工具
  8. 汽車電子系統(tǒng)
  由于其出色的電氣性能和可靠性,這款芯片適用于需要高效功率管理的各種工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)��

替代型號(hào)

GA1206A681JXEBT30G, IRF840, FDP8880

ga1206a681jxebt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容680 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-