類型：MOSFET
　　極性：N-Channel
　　最大漏源電壓(Vds)：60V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：80A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：1.5mΩ
　　總柵極電荷(Qg)：90nC
　　輸入電容(Ciss)：4070pF
　　輸出電容(Coss)：115pF
　　反向傳輸電容(Crss)：38pF
　　結(jié)溫范圍(Tj)：-55℃ to 175℃

GA1206A681JXEBT31G 具有以下關(guān)鍵特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可顯著降低導(dǎo)通損耗。
　　2. 快速開關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用。
　　3. 高電流承載能力，支持高達(dá)80A的連續(xù)漏極電流。
　　4. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，能夠在極端溫度條件下正常工作。
　　5. 內(nèi)置靜電保護(hù)功能，增強(qiáng)器件的抗干擾能力。
　　6. 小型封裝設(shè)計(jì)，有助于節(jié)省電路板空間。
　　7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
　　這些特性使其成為許多高功率密度應(yīng)用的理想選擇。

GA1206A681JXEBT31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
　　3. 逆變器
　　4. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
　　5. 太陽能微逆變器
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
　　7. 電動(dòng)工具
　　8. 汽車電子系統(tǒng)
　　由于其出色的電氣性能和可靠性，這款芯片適用于需要高效功率管理的各種工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品。

GA1206A681JXEBT30G, IRF840, FDP8880