GA1206A681KBLBR31G 是一款由知名廠商生產(chǎn)的高性能功率 MOSFET 芯片,主要用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)操作的應(yīng)用場(chǎng)景。該芯片具有出色的電氣特性和可靠�,適合在高頻開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等�(yīng)用中使用�
該器件采用先�(jìn)的制造工�,優(yōu)化了�(dǎo)通電阻和開關(guān)性能之間的平衡,從而提高了整體效率并降低了功�。此�,其封裝�(shè)�(jì)有助于提升散熱性能,確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行�
型號(hào):GA1206A681KBLBR31G
類型:N-Channel MOSFET
漏源極擊穿電壓(Vds):60V
連續(xù)漏極電流(Id):120A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ
柵極電荷(Qg):75nC
最大工作結(jié)溫:175°C
封裝形式:TO-247-3
邏輯電平兼容:支�
GA1206A681KBLBR31G 具有以下顯著特性:
1. 高電流承載能�,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)��
2. 極低的導(dǎo)通電�,減少了�(dǎo)通損�,提升了系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)速度,能夠滿足高頻電路的需��
4. 高擊穿電�,增�(qiáng)了器件的可靠性和抗干擾能��
5. 緊湊且高效的封裝�(shè)�(jì),便于散熱管��
6. 支持邏輯電平�(qū)�(dòng),簡(jiǎn)化了控制電路�(shè)�(jì)�
這些特性使� GA1206A681KBLBR31G 在多種工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中表現(xiàn)出色�
GA1206A681KBLBR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS),包� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�,如步�(jìn)電機(jī)、無(wú)刷直流電�(jī)��
3. 太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)�
4. 電動(dòng)車充電設(shè)備�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
6. 各種高功率電子負(fù)載應(yīng)用�
憑借其卓越的性能和可靠�,該芯片成為上述�(yīng)用的理想選擇�
IRFP2907,
STP120N06,
FDP12N6,
IXFN120N06T2